6.1.4.1包层系统内部管道在高温、高压、高辐射环境下的设计寿命应大于或等于

包层系统应集成有探测和评估真空室内氙存储量的功能，并在存储值接近氙的上限时有清除 内氛的方法和流程。 氙存储应满足氙泄漏率的要求， 应具备 泄漏的条件

6. 1. 6 真空要求

1.6.1氛容器边界的脆弱位置（例如法兰，波纹管等）宜采用带有中间泄漏检测的双屏障；真 漏率、增殖包层的泄漏率应满足设计要求。 1.6.2氙容器的边界脆弱位置应具备在线监测真空泄漏的条件

6. 1. 7 电磁要求

6. 1. 8 材料要求

十应满足在等离子体瞬态工况下来自磁场和涡流

6.1.8.1材料选择应与高质量真空的获得和维持的要求相一致。材料应有它们对应服役条件（温度、 立力、中子损伤剂量等）下的完备特征的机械和力学性能。 6.1.8.2第一壁应采用低溅射熔点高的材料，减少杂质进入芯部等离子体。在面对等离子体位置应覆 盖有保护层材料。 6.1.8.3屏蔽包层结构应采用低中子活化材料，内部宜采用屏蔽材料

6. 2. 3接地和绝缘

7.1.1增殖包层第一壁设计宜采用内部带有U形冷却剂通道的结构。

石油标准1.1增殖包层第一壁设计宜采用内部带有U形冷却剂通道的结构

DB34/T 3574. 22019

7.1.2增殖包层子模块设计宜有分配和回收冷却剂和提氙气体的集流腔。 7.1.3氙增殖剂和中子倍增剂宜置于增殖包层前区，联箱结构宜置于增殖包层后区。 7.1.4增殖包层和屏蔽包层管道壁厚及直径，应满足连接接头和焊接等要求。 7.1.5包层结构应采用主动冷却。包层内部冷却剂流量应分配均匀，尽可能的减少冷却剂的压降。 7.1.6包层管道应与聚变装置不同阶段的运行模式相匹配。在维护期间，便于切割和焊接

7.1.2增殖包层子模块设计宜有分配和回收冷却剂和提氙气体的集流腔。 7.1.3氛增殖剂和中子倍增剂宜置 于增殖包层前区，联箱结构宜置于增殖包层后区。 7.1.4增殖包层和屏蔽包层管道壁厚及直径，应满足连接接头和焊接等要求。 7.1.5包层结构应采用主动冷却。包层内部冷却剂流量应分配均匀，尽可能的减少冷却剂的压降。 乙.1.6包层管道应与聚变装置不同阶段的运行模式相匹配。在维护期间，便于切割和焊接。

根据诊断系统、遥操作系统具体部件及其布置形式，合理设计包层空间分布方案并优选。 在实际布置时，应对包层系统可行性及兼容性进行多次论证。 包层分布应具备适应不同等离子体位形的能力，应与聚变装置不同阶段的运行模式相匹配。