B 磁通密度，单位为微特斯拉（μT)；

磁通密度，单位为微特斯拉（μT)；

GB/T33014.82020

95 常数，单位为伏特秒每安培平方米（V·S/A·m"）； 1 线圈电流，单位为安培（A）； o 磁常数，真空中的磁导率，单位为亨利每米（H/m）。 距离辐射环的环平面50mm时，环中电流为的辐射环的磁场强度H50mm，按公式（2)计算： H50mm=75.6I 式中： H 磁场，单位为安培每米（A/m）； 75.6—常数，单位为每米（/m）； 线圈电流，单位为安培（A）。 在整个频率范围内应给出辐射环的特性。在确定DUT试验计算的电流值时，应考虑线性特性。

H一一磁场，单位为安培每米（A/m）； 75.6—常数测绘标准，单位为每米（/m）； 线圈电流，单位为安培（A）。 在整个频率范围内应给出辐射环的特性。在确定DUT试验计算的电流值时，应考虑线性特性

H一一磁场，单位为安培每米（A/m）； 75.6一一常数，单位为每米（/m）； 一线圈电流，单位为安培（A）。 在整个频率范围内应给出辐射环的特性。在确定DUT试验计算的电流值时，应考虑线性特性

6.2.2玄姆霍兹线圈

理想情况下，亥姆霍兹线圈建立了一个均匀的磁场区域，其作用是将DUT暴露到均匀的磁场中。 线圈的半径由DUT的尺寸确定。为获得均匀的磁场（士10%），线圈和DUT之间的空间尺寸关系 应满足图3。图3所示的均匀磁场区域最小应为300mm×300mm×300mm。 亥姆霍兹线圈间的距离为R时，系统中心的磁通密度B按公式（3计算：

B 磁通密度，单位为微特斯拉（μT）； N 线圈中导线的匝数； R 线圈半径，单位为米（m）； 一 线圈电流，单位为安培（A）； H 磁场，单位为安培每米（A／m）； o 磁常数，真空中的磁导率，单位为亨利每米（H/m）； 0.899 常数，单位为亨利每米（H/m）。 系统中心的磁场H按公式（4)计算

H一磁场，单位为安培每米（A/m）； N一线圈中导线的匝数 R一线圈半径，单位为米（m）； 一一线圈电流，单位为安培（A）。 所选线圈的载流容量和匝数应满足试验规范， 线圈的自谐振频率不应小于或等于150kHz的上限频率， 在整个频率范围内应给出亥姆霍兹线圈的特性。在确定DUT试验计算的电流值时，应考虑线性 特性，

通过使用钳式探头或通过测量分流电阻 上的电压来监测电流，电流监测器应确保在OHz（DC Hz～150kHz的频率范围内测量的电流为真有效值 可以使用的电流监测器有示波器、真有效值交流电压表或真有效值交流电流表

GB/T 33014.82020

对辐射环法，使用的磁场强度监测器符合如下规定： 直流时，磁场强度监测器应为基于霍尔传感器的测量仪器，应能测量至少3000A/m的磁场 强度。 当≥15Hz时，推荐的磁场强度监测器为满足如下规定的环形传感器： 直径：40mm; 匝数：51； 导线：直径近似为0.071mm的7股丝包漆包线； 屏蔽：静电屏蔽； 修正因子：把传感器的线圈电压转换为磁场强度的校准系数。 在环形传感器中感应的开路电压U可通过高阻抗电压表测量，也可由公式（5)计算： U=2元f×NXAXB ·（5 式中： f 频率，单位为赫兹（Hz）； N 线圈中导线的匝数； A 线圈的横截面积，由线圈的平均直径计算得到，单位为平方米（m）； B 磁通密度，单位为特斯拉（T）。 ZE

6.5DUT的激励和监测

操纵DUT的执行器应尽量不影响DUT的电磁特性， 如在按钮纽上使便用塑料块、使用气动执行器（供 气管路使用塑料管）等 监测设备应使用光纤或高阻抗导线连接。如使用其他类型的连接，应尽量减小线间的相互作用，并 记录导线的布置方向、长度和位置，以确保试验结果的可复现性。 应避免监测设备同DUT之间的任何电连接可能引起的DUT误动作

试验区域应具备容纳所有试验设备的合适的空间尺寸，并应免受可能影响试验结果的任何骚扰。 OUT监测设备应距磁场发生器（辐射环或亥姆霍兹线圈）至少2m。磁场发生器应距离平行于线圈平 面的金属表面至少1m

电源应符合GB/T33014.1的规定

7.3试验线束和DUT自

试验线束和DUT应放置在非导电的、低磁导率的非铁磁性的支撑物（如未桌）上。试验线束应尽 可能减小线束（例如：双绞线）内部的耦合效应差异、减小对负载和电源的干扰，

试验配置如图1所示。DUT的每一个表面应分割成100mm×100mm或更小的相等区域。辐

GB/T33014.82020

骚扰源和连接线束等的整体布局为标准试验条件。任何与标准试验条件的偏离，应在试验前商定， 并在试验报告中记录下来。 DUT应在车辆典型负载和其他实际条件下运行。这些运行条件应在试验计划中明确的定义，以确 保试验的复现性。 对于辐射环法，DUT的试验点应在试验计划中规定。 对于亥姆霍兹线圈法,DUT试验时的方向（X、Y和Z轴）应在试验计划中规定

在进行试验之前应制定试验计划，内容应包括： 试验方法； 试验布置； 辐射环法的试验点； 亥姆霍兹线圈法的DUT轴向； 特定的试验频率和频率范围； DUT的运行模式； DUT的验收准则； DUT的监测条件； 试验严酷等级的定义； 试验报告的内容； 其他特别说明及与本部分试验方法的差异 每个DUT应在最典型的条件下进行试验，即至少在待机模式和DUT所有功能处于工作的模式下 行试验。

试验前应在直流和一个频点进行验证，并以线圈中的电流为场验证和试验时的参考值， 试验分两个阶段进行： 直流和一个频点的场验证（不带DUT、线束和外围设备）； 连接上线束和外围设备的DUT试验

应通过记录产生特定场强（场探头测得）所需的线圈电流，在直流和单个频点（例如：1kHz)对特定 试验电平（场）进行定期验证。验证时应使用未调制的正弦波。 试验布置如图4所示。

本附录给出了试验严酷等级的示例,FPSC的详细说明见GB/T33014.1

照明标准规范范本A.2试验严酷等级的分类

表A.1、表A.2、图A.1和图A.2给出了推荐的最低和最高严酷等级。

表A.1和图A.1给出了车内磁场试验严酷等级示例。

GB/T33014.82020

电网标准规范范本附录A （资料性附录） 功能特性状态分类(FPSC)和试验严酷等级

表A.1试验严酷等级示例（车内磁场）