电容仪的校准程序按下列步骤进行： 将连接了屏蔽电缆的电容仪调零； b） 将一个电容器通过屏蔽电缆连接电容仪，测试频率设为1MHz，测试得到电容值： 依次测试所有电容器的电容值： d 电容的测试值与标称值的偏差不大于1%，同时，测试同一位置至少10次的相对标准偏差不 大于0.25%，则电容仪合格，如超出范围，按要求调整设备，重新进行电容仪校准。

5.6.2补偿电容校准

5.6.2.1测试补偿电容用标准样片的载流子浓度应小于1×10 度分布的相对标准偏差不大于2%。 5.6.2.2将5.6.2.1的标准样片置于测试台上，并形成可靠的测试接触。 5.6.2.3设定一个补偿电容值（如未知，则设为0），开始测试载流子浓度，并观察测试曲线的斜率。如 料率为正，按0.1pF的步进逐步增大补偿电容值，直至斜率第一次为负后再按0.02pF的步进逐步减小 补偿电容值，直至斜率刚好有改变。如斜率为负值，按0.02pF的步进减小补偿电容值，直至斜率第 次为正后再按0.1pF的步进逐步增大补偿电容值，直至斜率刚好有改变。此时得到系统的补偿电容，

5.6.3汞探针有效接触面积的确定

钙镁磷肥标准GB/T 14146=2021

GB/T14146=202

d一一汞探针的标称直径，单位为毫米（mm）。 .6.3.2用测试系统测量多个已知标称浓度的标准样片的平均载流子浓度，通过公式（2)计算每个标准 羊片测试时的汞探针有效接触面积：

(Af)=A (Nav） (N.)

5.8.1势垒扩展宽度按公式（3)计算

GB/T 141462021

N() = C dC dv

当测试探头在特定装置的驱动下逐渐接近样品表面，但不和样品表面接触，由于测试探头和样品表 面距离很近，可以在样品表面形成一个肖特基结。当在测试探头和样品之间加可调偏置电压，使得肖特 基结的势垒宽度向外延层扩展。样品的载流子浓度可由肖特基结的势垒电容、测试探头测试的电荷随 时间的变化量以及随电压的变化率、测试探头的几何面积计算得出

6.2.1去离子水，25℃时的电阻率大于18MQ·cm。 6.2.2氮气，纯度（体积分数）大于99.9999%。 6.2.3压缩空气，直径大于0.1μm颗粒物的过滤率不小于99.9999%。

6.2.1去离子水，25℃时的电阻率大于18MQ·cm。

前应确认样品表面无直径大于0.5um的大颗粒污。 6.3.2样品表面的悬挂键以及自然氧化层不均匀，导致测试结果偏差较大。 6.3.3测试探头与样品之间的平行度以及间隙应固定，以保证测试的稳定性。 6.3.4样品台需要定期维护，避免大颗粒落在样品台上，否则样品在真空吸附后，易导致探头和样品表 面不平行。 6.3.5测试探头和样品间的空气间隙易引起气隙的边缘效应，设备调试时应注意规避

GB/T 14146202

通常对样品进行直接测试，但是采用PTC处理腔对样品表面处理后的测试结果会更加稳定。样品 的处理方式见5.5

6.7.1测试点设置确认

主测试程序中设定供需双方确认的测试点位置

6.7.2样品表面颗粒测试

格样品放置在样品台上，扫描待测样品表面.确认表面颗粒符合测试要求

6.7.3欧姆电极的制备

选择具有导电橡胶覆盖的样品台，通过真空吸附使得样品和样品台充分接触形成欧姆接触。

GB/T 141462021

6.7.5载流子浓度的获得

Q(t)——探头随着时间变化测量到的电荷，单位为库伦(C) 一电流，单位为毫安（mA）： 一时间，单位为秒（s）。 6.8.2载流子浓度Nsr（W）按公式（6)计算

dQ(t) Csc Nsc (W) qXAXdw

GB/T 141462021

GB/T 141462021

测试载流子浓度的过程中，测试系 租用、反日通电 密度3个指标评价，符合3个指标要求的

A.2.1测试时，系统与样品接触形成的二极管回路串联电阻，应小于1kQ2。 A.2.2串联电阻按下列方法确定：

b）将样品置于样品台上，汞探针接触样品表面，使其肖特基接触可靠； c）如电容仪能测量相角Q、电容C,则系统串联电阻按公式（A.1)计算：

式中： R. 系统串联电阻，单位为欧姆（Q)； 测试时的相角，单位为度（）； 测试时的频率，单位为兆赫（MHz） 测试时的电容，单位为皮法（pF）。 d）如电容仪能测量电容C、电导Gm，则系

0 tan×（2元fC

. tan0 × (2元 fC)

测试时的相角，单位为度（°）； 测试时的频率，单位为兆赫（MHz)； 测试时的电容，单位为皮法（pF)。 如电容仪能测量电容C、电导Gm，则系统串联电阻按公式（A.2)计算

R. 系统串联电阻，单位为欧姆（Q)； Gm 测试时的电导，单位为西门子(S)； T 测试时的频率，单位为兆赫（MHz) C 测试时的电容，单位为皮法（pF)。

相角0应在87°～90°装饰标准规范范本，按公式（A.3)计算

式中： 测试时的相角，单位为度（°）； 测试时的频率，单位为兆赫（MHz）： 系统串联电阻，单位为欧姆（Q2)； 测试时的电容，单位为皮法（pF）。

测试时的相角，单位为度（°）； 测试时的频率，单位为兆赫（MHz）； R 系统串联电阻，单位为欧姆（Q2)； 测试时的电容，单位为皮法(pF)。

GB/T14146=202

J1 电压V，下的反向漏电流密度，单位为毫安每平方厘米（mA/cm）； I.1 反向偏压V，下的电流，单位为毫安（mA）； Aelf 汞探针的有效接触面积，单位为平方厘米（cm）

Ji+1) 电压V(i+1)下的反向漏电流密度，单位为毫安每平方厘米（mA/cm"） Ji 电压V：下的反向漏电流密度，单位为毫安每平方厘米（mA/cm"）； V(i+1) 加载在晶片上的第i十1次测试电压，单位为伏特（V)； V 加载在晶片上的第i次测试电压幕墙标准规范范本，单位为伏特（V）