本指导性技术文件为电子设备和系统的可靠性预计提供了基本数据和方法。 本指导性技术文件适用于电子设备和系统的可靠性预计，其中元器件应力分析可靠性预计法适用于产品已具有详细的元器件清单，并已确定了元器件所承受应力的设备研制阶段；元器件计数可靠性预计法适用于产品研制的初步设计阶段。 本指导性技术文件所提供的元器件失效率数据仅适用于在正常工作条件下工作的电子设备可靠性预计；凡过应力使用，超过基本失效率表所列值的任何外推(如超过规定的温度范围，或电应力比大于1或等于0都是无效的。 本指导性技术文件提供的基本失效率数据未考虑核辐射环境，也未考虑电离辐射的影响。

SJ/T198计数管总规范 SJ202 印制板通用技术要求和试验方法 *SJ331 半导体集成电路总技术条件 SJ 332 高可靠姆指式(超小型)收讯放大管总技术条件 SJ338 高压整流管总技术条件 SJ343 微波气体放电管总技术条件 SJ344 低噪声行波管总技术条件 SJ345 功率行波管总技术条件 SJ 346 “O”型返波管总技术条件 SJ347 反射速调管总技术条件 SJ497 射频连接器总技术条件 *SJ614半导体三极管总技术条件 *SJ656 CI2型玻璃釉电容器技术条件 SJ737 旋转片式开关（低电负荷）总技术条件 SJ753 碱性镉镍单体及组合蓄电池 *SJ820 厚膜薄膜集成电路总技术条件 *SJ904 精密线绕电阻器总技术条件 SJ 1018 CA30管状非固体钼电解质烧结电容器 SJ 1156 直热式普通用负温度系数热敏电阻器总技术条件 SJ 1241 纸介电容器总技术条件 *SJ 1329 普通线绕电阻器总技术条件 SJ1385 噪声二极管和气体放电噪声管总技术条件 SJ 1515 微动开关总技术条件 SJ 1553 测温型负温度系数热敏电阻器总技术条件 SJ 1557 旁热型负温度系数热敏电阻器总技术条件 SJ 1559 稳压型负温度系数热敏电阻器总技术条件 SJ 1583 玻璃介质微调电容器总技术条件 SJ 1624 微波铁氧体隔离器、环形器总技术条件 SJ 1704 功率速调管总技术条件 SJ1752 指轮开关总技术条件 SJ1882 收音机用空气介质可变电容器总技术条件 SJ1885 复合介质电容器总技术条件 SJ2028 直热式正温度系数热敏电阻器总技术条件 *SJ20322050振荡器用石英谐振器 SJ2182 压电滤波器总技术条件 SJ2307 防雷型氧化锌压敏电阻器总技术条件 *SJ2308 灭弧型氧化锌压敏电阻器总技术条件 SJ2309 消噪型氧化锌压敏电阻器总技术条件 SJ2386 干簧继电器总技术条件 SJ 2407 按钮开关总技术条件 SJ2456 电子时间继电器总技术条件 SJ 2461 黑白电视接收机用偏转线圈总技术条件 SJ2470 镍圆柱密封碱性蓄电池

3.1.6质量系数qualitycoefficient

不同质量等级对元器件工作失效率影响的调率

元器件在某一环境类别下工作时其周围环境温度的通用值。在元器件计数可靠性预计时采用此通用 值

漆包线标准3.1.8通用失效率genericfailurerate

元器件在某一环境类别中，在通用工作环境温度和常用工作应力下的失效率。在元器件计数可靠性 预计时使用此通用失效率。

元A GaAsMMIC应用系数； 元CYC EEPROM读/写循环率系数； 元F 电路功能系数； 元L 器件成熟系数，指生产稳定和技术、工艺成熟程度的影响； 元P GaAsMMIC工艺系数： 元PT PROM可编程工艺系数，指编程技术的影响； 元T 温度应力系数，指电路结温对电路(按工艺分类)失效率的影响； V 电压应力系数，指电压应力降额的影响因素。

3.2.2半导体分立器件

元A 应用系数，指应用电路功能的影响； 元B 发射极镇流系数，指发射极不同镇流程度的影响； 元c 结构系数，指不同结构的影响； 元K 种类系数，指不同种类的影响； 元M 匹配网络系数，指晶体管输入、输出匹配网络的影响； 额定功率或额定电流系数，指功率或电流额定值的影响； 元s2 一一电压应力系数，指外加电压的影响； 温度应力系数，指温度应力的影响。

元c 种类系数； 元T 温度应力系数，指温度应力的影响。

元c———结构系数，指磁控管结构的影响； 元——成熟系数，指产品现场使用成熟程度的影响；

.2.5电阻器、电位器

元c 结构系数，指电位器结构的影响； 元K 种类系数，指电阻器、电位器种类的影响； 元R 阻值系数，指电阻器、电位器阻值的影响； 元T 温度应力系数，指温度应力的影响； 引出端系数，指电位器引出端数量的影响。

元ch 表面贴装系数； 一电容量系数，指电容量的影响； 串联电阻系数，指电容器在电路中串联电阻的影响。 TSP

元c——结构系数，指不同结构(固定或可变)的影响；

元A 机电继电器应用系数，指不同应用场合的影响； 元 机电继电器结构系数，指不同结构的影响： 元C1 机电继电器触点形式系数，指触点数量与形式的影响； 元2 固体继电器结构系数； 元CYC 机电继电器动作速率系数，指动作速率的影响； 元L 固体继电器成熟系数； 元p 固体继电器封装系数： 元 机电继电器额定负载系数： 固体继电器电应力系数。

cYc——开关速率系数

3. 2. 12压电陀螺

3.2.13光纤连接器

本章概述了进行电子设备可靠性预计的一般程序，以及规定了设备应用环境分类 件质量等级划分的原则。

本章概述了进行电子设备可靠性预计的一般程序，以及规定了设备应用环境分类的定性概念， 质量等级划分的原则。

4.2电子设备可靠性预计的一般程序

电子设备可靠性预计的一般程序如下： 先划分可靠性预计单元，后建立系统可靠性模型。预计单元在电路功能上相对独立，其可靠性 模型一般为串联结构。 b 计算各预计单元内元器件的工作失效率。对于采用元器件应力分析可靠性预计法的，按第5 章提供的工作失效率模型计算其工作失效率；对于采用元器件计数可靠性预计法的，则由第6 章的通用失效率乘以通用质量系数，便得到某一种类元器件工作失效率的通常值。 将预计单元内各种类元器件的工作失效率相加，由此得出预计单元的失效率。 d）按设备、系统的可靠性模型逐级预计设备、系统的平均故障间隔时间等可靠性指标。

电子设备应用环境分类及其说明见 没备在使用过程中可能遇到多种环境，此时可靠 性预计应按各个环境类别分别进行。如航天设备的应用环境，包括射入、轨道飞行、再入和返回的环境。

4.4元器件质量等级和质量系数

元器件质量直接影响其失效率，不同质量等级对元器件失效率的影响程度以质量系数元Q来表示。 从而，元器件工作失效率模型中的元Q值取决于元器件的质量等级。 在元器件的标准中一般都规定了元器件在制造、检验及筛选过程中的质量控制水准，按此不同控制 水准组织生产和管理的产品，具有不同的质量档次。于是，产品标准是划分其质量等级的主要依据。此 外，由于一些设备仍需采购按已宣布作废或被替代的标准，或按供需双方确认的技术协议和型号工程附 加质量要求等进行生产的元器件，因而在质量等级及系数表的“质量要求补充说明”栏目中给出相关标 推和技术协议。 据此，在第5章中对各大类元器件，分别列出其质量等级及质量系数表，规定了不同质量等级产品 所遵循的产品标准或其他质量要求。但由于一些高质量等级的标准尚无相应的产品，故其质量系数值暂 空缺。 在使用质量等级表时应注意如下几点： a）对已列入军用电子元器件质量认证合格产品目录的产品，若累积维持试验结果表明其可靠性水 平比鉴定试验时提高了一个数量级，则其元Q值可在原来的质量等级中适当减小质量系数值； b 按型号工程附加技术条件或附加质量要求，对产品进行更为严格考核试验，其质量系数元Q可 在原来的质量等级中适当减小质量系数值，一般可降至原元o值的3/4～1/2； C）低档产品指没有完全执行一定的生产标准或无明确的质量控制要求的产品。

4.5设备中有进口元器件时的可靠性预讯

设备中同时采用进口元器件和国产元器件时，需利用第5章或第6章的方法项目管理和论文，对国产元器件 获得其失效率入国产；然后用附录A或其他能够反映进口元器件失效率水平的标准对进口元 预计，获得其失效率入进口：再依据设备的可靠性模型计算其总的失效率。

5元器件应力分析可靠性预计法

本条对半导体单片集成电路、混合电路以及声表面器件提供可靠性预计： 半导体单片集成电路，包括： 1）半导体单片数字电路，包括： ①TTL、ASTTL、ALSTTL、LSTTL、HTTL、FTTL、ECL、IIL等双极工艺制作的数字 电路； ②MOS数字集成电路。包括在蓝宝石、多晶硅、单晶硅等各种衬底上采用NMOS、PMOS、 MNOS、CMOS、HCMOS、HCTMOS、FCTMOS、ACTMOS等MOS工艺制作的数 字电路； ③PLA、PAL、PLD、FPGA等可编程逻辑器件。 2）半导体单片模拟电路。包括双极、MOS、BiCMOS模拟电路。 3）微处理器。包括CPU、数字信号处理器(DSP)、微控制器。

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26MOS的DRAM电路的复杂度失效率C及

EEPROM、FLASH的读/写循环率系数元cY