NBT 10461-2020 交流-直流开关电源 电子组件异常模拟试验技术规范.pdf

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  • 试验过程中及试验后,应满足4.1~4.10的要求

    试验过程中及试验后,应满足4.1~4.10的要求

    针对以保险电阻或相似特性作为电源的 日性器件。为防止其后面跨接在高压和低压电 的器件失效后可能呈现低阻抗特性而使产品在使用过程中主功率回路电流增大,保险电阻发热 起熔壳等重大安全风险,对其熔断特性和发热特性做出评估。

    试验程序如下: a)在整流桥后滤波电容正极端与初级功能接地之间并联一个100W/1002的功率电阻,调整输入 电压使流过保险电阻的电流为其额定电流,稳定后工作20min,记录保险电阻的温度,并观察 保险电阻发热时对外壳的影响; b 以2V为步进增大输入电压,稳定后工作20min,记录输入电流、保险电阻温度,并观察保险 电阻发热时对外壳的影响; C)重复以上步骤,直到保险电阻熔断。

    验过程中及试验后学校标准,应满足4.1~4.7的要求。

    9USB接口异常发热试验

    评估带USB输出的产品,在用户使用过程中,因USB公座与母座接触阻抗过大,通以电流后持续 发热,是否会引起熔壳风险。

    试验过程中及试验后,应满足4.5~4.9的要求。

    10吸收回路贴片电容半短路试验

    评估应用在产品初级或次级吸收回路中的贴片电容失效后由容性变成阻性,造成功率回路处于半短 路状态,是否会引起熔壳风险。

    a)在受试样品吸收回路的贴片电容两端并联一近似02的贴片电阻器; b)调整输入电压为额定电压的上限,输出空载,稳定后记录外壳上的最高温度; c)调整输出负载,使其达到能带的最大负载,稳定后记录外壳上的最高温度; d)增大贴片电阻的阻值(如102、202、302等),重复以上b)、c),直至找到外壳温度最高的 条件。 注:电阻阻值可根据实际情况增加,对单次测试增加值没有严格要求。

    10.3试验结果的评定

    程中及试验后,应满足4.14.7的要求。

    11压敏电阻器失效损坏过热熔壳试验

    评估产品防雷设计方案是否满足设计要求,模拟压敏电阻器失效后的异常情况下,是否会存在熔壳、 着火等安全风险。

    试验程序如下: a)雷击极限试验:从受试样品要求的差模电压开始,以500V为步进做雷击极限试验,直到样品 损坏,试验样品数量不少于5件;同理,从受试样品要求的共模电压开始,以500V为步进做 雷击极限试验,直到样品损坏,试验样品数量不少于5件。试验后进行失效分析,检查压敏电 阻器是否失效,失效后状态为开路、短路或者存在一定阻抗,记录试验结果。 b 以雷击10kV的电压试验(差模电压或共模电压均可),直到样品损坏,试验样品数量不少于 2件。试验后进行失效分析,检查压敏电阻器是否失效,失效状态为开路、短路或者存在一定 阻抗,记录试验结果。 C 温度试验:依据分析结果,若压敏电阻器失效后呈现开路或短路,可不进行温度试验,若失效 后呈现阻抗变小,应通过温度试验来评估产品是否存在熔壳等安全隐患,所有阻抗变小的样品 均应进行试验。将热电偶线粘在压敏电阻器本体和距压敏电阻器最近的外壳外壁;受试样品输 出负载为最大负载,输入电压为规格上限(或264VAC,63Hz),在制造商宣称的最高工作温 度条件下通电2h,记录温度数据。

    11.3试验结果的评定

    12功率限制及过温保护试验

    评估产品由于输出过电流点太大引起输出功率过高时,是否存在安全隐患

    b)测量出受试样品过电流保护点的电流,并以此值为负载条件,将样品置于45℃高温箱内,调 节输入电压为样品规格下限电压,通电试验并监测受试样品内部所有功率器件(半导体IC、 MOSFET、二极管、电感、电容、变压器、吸收回路中的元器件等)和外壳外壁;待温度稳定 后记录测试数据。

    12.3试验结果的评定

    寸程中及试验后,应满足4.5、4.8、4.9、4.11的

    [13. 1 试验目的

    试验程序如下: a)根据受试样品规格要求,调整输入电压为额定电压的上限和下限,并设置为方波,输出为额定 负载各测试4h,观察电源内部保险电阻等关键器件及外壳外壁温度; b)根据受试样品规格要求,调整输入电压为额定电压的上限和下限,同时设置交流失真分别为 20%、30%、40%,输出为额定负载各测试4h,观察电源内部保险电阻等关键器件及外壳外壁 温度; C 根据受试样品规格要求,调整输入电压为额定电压的上限和下限,输出为额定负载,用工作频 率为10Hz的继电器模拟交流输入端插头与插座接触不良的工作状态,测试4h,观察电源内 部保险电阻等关键器件及外壳外壁温度。

    13.3试验结果的评定

    程中及试验后,应满足4.1~4.9和4.11的要求

    14输出用稳压管或瞬态抑制二极管过电压失效过热试验

    14输出用稳压管或瞬态抑制二极管过电压失效过热试验

    评估产品在输出端使用稳压管或瞬态抑制二极管作为过电压保护器件,当产品发生异常时,稳压管 或瞬态抑制二极管持续工作并发热,是否会发生熔壳或着火现象。

    试验程序如下: a)首先对受试样品进行元器件开短路试验和相邻焊盘短路试验,测试前应先取下稳压管或瞬态抑 制二极管; 6 记录使得稳压管或瞬态抑制二极管工作的输出电压的测试条件; C 把稳压管或瞬态抑制二极管安装在其原来的位置,根据b)记录的测试条件,测试稳压管或瞬 态抑制二极管工作时的温度和距离其最近的外壳外壁温度。

    14.3试验结果的评定

    试验过程中及试验后,应满足4.1~4.11的要求

    试验后,应满足4.1~4

    15外壳超声波焊接强度试验

    评估外壳超声焊接结构设计是否符合设计要求,验证超声焊接是否牢固可靠,是否存在外壳开裂风 险隐惠。

    将受试样品固定,并以10mm/min的速度将超声焊接处拉开,记录将外壳拉开所需拉力。 样品固定:应针对不同产品设计专门的试验夹具,试验时,上壳及下壳超声焊接处受力需均匀。

    15.3试验结果的评定

    试验过程中及试验后,应满足4.12的要求。

    试验过程中及试验后,应满足4.12的要求。

    评估产品处于异常低压输入时,是否存在安全隐惠。

    试验程序如下: a 根据受试样品规格要求,在制造商宣称的最高工作温度条件下,受试样品输出带额定负载,调 节输入电压使其从额定电压下限缓慢降低,直到电源发生保护,记录保护瞬间的输入电压; b 根据受试样品规格要求,在制造商宣称的最高工作温度条件下,受试样品输出带额定负载,调 节输入电压使其从额定电压下限缓慢降低,直到输入电压比上一步记录的输入电压高5V(参 考值,目的是使受试样品在该输入电压条件下不得保护),并使受试样品在此条件下老化工作 4h; c)老化结束后,对受试样品进行抗电强度试验

    16.3试验结果的评定

    试验过程中及试验后,应满足4.5~4.9和4.11的要求

    评估产品在使用过程中由于衣物、棉被等覆盖时,是否存在安全隐患。

    根据受试样品规格要求,在制造商宣称的最高工作温度条件下,调整输入电压为额定电压下限、 输出负载为额定负载,在此条件下测试受试样品的过电流保护点给排水工艺、技术,并记录此值;然后将受试样 品的输出负载设置为过电流保护点的95%,并在此条件下,用棉被把受试样品本体完全覆盖, 老化工作4h。同时监测受试样品内部所有功率器件(半导体IC、MOSFET、二极管、电感、

    电容、变压器、吸收回路中的元器件等)和外壳外壁温度;待温度稳定后记录测试数据。 b 根据受试样品规格要求,在制造商宣称的最高工作温度条件下,调整输入电压为额定电压上限、 输出负载为满载,在此条件下测试受试样品的过电流保护点,并记录此值;然后将受试样品的 输出负载设置为过电流保护点的95%,并在此条件下重复a)的步骤。 c)老化结束后,对受试样品进行抗电强度试验。

    17.3试验结果的评定

    试验过程中及试验后,应满足4.5~4.9的要求

    NB/T10461—2020

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