GB/T413302022

化物、双电荷、分辨率等各项指标，符合要求后进

7.5.2校准曲线的绘制

仪器符合要求后，依次测定校准落溶 的比值为纵坐标，相对应的元素 的质量浓度（ug/L)为横坐标，绘制校准

测试条件同7.5.1。每个样品测定前，先用硝酸溶液冲洗系统至信号稳定。样品测定时应加人与校 准曲线相同量的内标标准溶液。每个样品平行测定两次，取算术平均值为测定结果。如果待测元素的 含量超出校准曲线的范围，应用硝酸溶液（1十99）稀释后重新测定，记录稀释倍数（f）。样品溶液存在 多原子离子干扰时，可根据仪器推荐条件，通过碰撞模式进行校正。 同时测定空白试验溶液。

试样中待测元素的含量以质量浓度（。 ug/L)表示，接公式（1)计算：

P1—从校准曲线得到的待测元素的质量浓度的数值，单位为微克每升（μg/L) po——空白试验溶液中待测元素的质量浓度的数值，单位为微克每升(μg/L)； 一样品的稀释倍数（无稀释时于=1）。 计算结果表示到小数点后两位

取平行测定结果的算术平均值为测定结果，平行测定结果的相对标准偏差应符合表1要求

10.1同量异位素干扰：原子序数不同，原子质量相同的元素有相同的质荷比，不能被质谱仪有效分辨， 可能引起严重干扰。可通过选择合适的待测元素同位素，或采用校正公式校正。 10.2丰度较大的同位素对相邻元素的干扰：丰度较大的同位素会产生拖尾峰，影响相邻质量峰的测 定。可调整质谱仪的分辨率以减少这种干扰。

荷比所引起的干扰。多原子（分子)离子干扰很大程度上受仪器操作条件的影响，通过调整仪器参数可 以减少这种干扰。 10.4物理干扰：包括检测样品与标准溶液的黏度、表面张力和溶解性总固体的差异所引起的干扰。用 内标物可校正物理干扰。 10.5基体抑制（电离干扰）：易电离的元素浓度增加将增加电子数量而引起等离子体平衡转变，通常会 减少分析信号，称基体抑制。用内标法可以校正基体干扰。 10.6记忆干扰：在连续分析浓度差异较大的样品或标准品时，样品中待测元素易沉积并滞留在真空界 面、喷雾腔和雾化器上会导致记忆干扰，可通过延长样品间的洗涤时间来避免这类于扰的发生。

荷比所引起的干扰。多原子（分子）离子干扰很大程度上受仪器操作条件的影响，通过调整仪器参数可 以减少这种干扰。 10.4物理干扰：包括检测样品与标准溶液的黏度、表面张力和溶解性总固体的差异所引起的干扰。用 内标物可校正物理干扰。 10.5基体抑制（电离干扰）：易电离的元素浓度增加将增加电子数量而引起等离子体平衡转变，通常会 减少分析信号，称基体抑制。用内标法可以校正基体干扰。 10.6记忆干扰：在连续分析浓度差异较大的样品或标准品时，样品中待测元素易沉积并滞留在真空界 面、喷雾腔和雾化器上会导致记忆干扰，可通过延长样品间的洗涤时间来避免这类于扰的发生，

11.1仪器的燃烧器上方应安装排风装置。 11.2经常检查管道，防止气体泄漏山东标准规范范本，严格遵守有关操作规程 11.3氩气、氮气为惰性气体，使用时注意通风，防止室息。

（资料性） 内标物的选择