DL／T 2310-2021  电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件

DL/T23102021

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4.5.2外延层厚度最大相对标准偏差 计算电子产品标准，且应符合表3的规定

表3外延层厚度最大相对标准偏差

4.6.1n型外延层掺杂元素为氮，p型外延层掺杂元素为铝。 4.6.2外延层掺杂浓度允许偏差应符合表4的规定。

4.6.1n型外延层掺杂元素为氮，p型外延层掺杂元素为铝。

表4外延层掺杂浓度允许偏差

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表5外延层掺杂浓度最大相对标准偏差

表6外延片表面缺陷极限值

4.8外延片表面粗糙度

外延片表面粗糙度应符合表7的规定。

表7外延片表面粗糙度

4.9n型外延片原生少子寿命

n型外延片原生少子寿命应符合如表8的规定。

DL/T2310—2021

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表8n型外延片原生少子寿命

4.10外延片翘曲、弯曲度、总厚度变化

外延片翘曲、弯曲度、总厚度变化应符合表9的

对各种金属离子污染浓度的限制要求见表10

特殊规定，应由供需双方

园林养护管理DL/T23102021

5.5外延片表面粗糙度测试应采用原子力显微镜方法进行，或由供需双方商定。 5.6外延片少子寿命测试应采用微波反射光电导衰减法进行，或由供需双方商定。 5.7外延片翘曲度、弯曲度、总厚度变化的测试应符合GB/T32278的规定。 5.8外延片金属污染测试应采用全反射X光荧光光谱法进行，或由供需双方商定。 6 包装、标志、运输、储存

5.5外延片表面粗糙度测试应采用原子力显微镜方法进行，或由供需双方商定。 5.6外延片少子寿命测试应采用微波反射光电导衰减法进行，或由供需双方商定。 5.7外延片翘曲度、弯曲度、总厚度变化的测试应符合GB/T32278的规定。 5.8外延片金属污染测试应采用全反射X光荧光光谱法进行，或由供需双方商定。 6包装、标志、运输、储存

6包装、标志、运输、储存

6.1.1碳化硅外延片应在洁净室内装入专用的包装盒，外用洁净的塑料袋充氮气或真空封装。每个片 盒应贴有产品标签，标签内容应包括产品名称、规格、片数、批号等信息；或采用供需双方商定的包 装方法。

6.1.3每批次产品应附产品质量证明书，并应泪

a）供方名称； b）产品规格和名称； c）产品批号； d）产品数量； e）产品晶向； f）各项检验结果； g）采用标准编号； h）出厂日期。

2.1产品运输中应轻装轻卸、勿挤勿压安全标准，并有防

产品运输中应轻装轻卸、勿挤勿压，并有防振 产品应储存在洁净干燥的环境中。