DLT 2310-2021 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件.pdf

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  • DL/T23102021

    大相对标准偏差[TV(t)]应按式(1)计算,且

    T(t)一 外延层厚度相对标准偏差,以百分数表示(%)。 N 测试点数,直径为100mm的外延片采取5点,分别指中心点及平行和垂直于主参考面 的两条直径上距周边6mm土1mm的5点位置处;直径为150mm的外延片采取9点, 分别为中心点及平行和垂直于主参考面的两条直径上1/2半径产品质量标准,以及距周边6mm土 1mm的9点位置处。 一第i点的外延层厚度,单位为微米(μm)。 外延层厚度的平均值,单位为微米(μm)。

    表3外延层厚度最大相对标准偏差

    4.6.1n型外延层掺杂元素为氮,p型外延层掺杂元素为铝。 4.6.2外延层掺杂浓度允许偏差应符合表4的规定。

    表4外延层掺杂浓度允许偏差

    3外延层掺杂浓度最大相对标准偏差[Cv(c)]应按式(2)计算,外延层掺杂浓度最大相对 差应符合表5的规定。

    DL/T2310202

    DL/T23102021

    表5外延层掺杂浓度最大相对标准偏差

    表6外延片表面缺陷极限值

    4.8外延片表面粗糙度

    面粗糙度应符合表7的去

    表7外延片表面粗糙度

    4.9n型外延片原生少子寿命

    n型外延片原生少子寿命应符合如表8的规定。

    DL/T2310=2021

    表8n型外延片原生少子寿命

    4.10外延片翘曲、弯曲度、总厚度变化

    外延片翘曲、弯曲度、总厚度变化应符合表9的规定。

    表9外延片翘曲度、弯曲度、总厚度变化

    对各种金属离子污染浓度的限制要求见表10。

    4.12有特殊规定,应由供需双方协商确定。

    DL/T23102021

    5.5外延片表面粗糙度测试应采用原子力显微镜方法进行,或由供需双方商定。 5.6外延片少子寿命测试应采用微波反射光电导衰减法进行包装标准,或由供需双方商定, 5.7外延片翘曲度、弯曲度、总厚度变化的测试应符合GB/T32278的规定。 5.8外延片金属污染测试应采用全反射X光荧光光谱法进行,或由供需双方商定 6包装、标志、运输、储存

    6.1.1碳化硅外延片应在洁净室内装入专用的包装盒,外用洁净的塑料袋充氮气或真空封装。每个片 盒应贴有产品标签,标签内容应包括产品名称、规格、片数、批号等信息;或采用供需双方商定的包 装方法。

    6.1.2包装箱内应有装箱单,外侧应有“小心轻放”“防腐防潮”“易碎”字样或标志,并注明下发 内容:

    6.1.2包装箱内应有装箱单,外侧应有“小心轻放”“防腐防潮”“易碎”字样或标志,并注明下

    6.1.3每批次产品应附产品质量证明书,并应注明下列内

    b)产品规格和名称; c)产品批号; d)产品数量; e)产品晶向; f)各项检验结果; g)采用标准编号; h)出厂日期。

    6.2.1产品运输中应轻装轻卸、勿挤勿压煤炭标准,并有防振措施。

    6.2.1产品运输中应轻装轻卸、勿挤勿压,并有防振措施。 6.2.2产品应储存在洁净干燥的环境中。

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