DB61／T 1448-2021  大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程

2间歇寿命试验流程图

具固定器件引线，导通

DB61/T1448202

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5.2.2选择控制方式

试验电流电压等驱动条件的选择应根据产品的详细规范地下室标准规范范本，不应超过产品的最大额定值。试验条件需 要通过摸底试验得到，ton/toff试验条件的设定应保证器件在间歇寿命试验的初始阶段达到△ Tc=85.s+15℃的要求。典型试验条件见表1。

表 1 典型试验条件

注：时控方式在正式试验开始之前，需要先验证产品的温 在所设置的开启和关断时间（ton/toff）内 需保证壳温的变化量满足△Tc=85.s+15℃，

主：时控方式在正式试验开始之前 需保证壳温的变化量满足△Tc=85.

5.4.1完成上述试验后，对器件按照详细规范要求进行电参数及热阻（适用时）测试。 5.4.2终点测量应在器件从规定试验条件下移出后的96h内完成。 5.4.3在规定的时间内不能完成测试，器件在完成测量之前应追加200次相同条件的试验循环。