laserwelding

以聚焦的激光束作为能源轰击焊件所产生的热量进行焊接的 工艺。

市政工程施工组织设计braze welding

在电路板特定区域运用机械的、化学的、电化学的、物理的方 法施加塑性的或非塑性的非导电薄层涂料，起环境保护和（或）机 械保护作用。

3.1.1微组装主要生产工艺应包括芯片和基板贴装、互连、密封 工艺；辅助工艺包括真空烘焙、清洗、涂覆、测试工艺。 3.1.2微组装生产线加工工艺应根据混合集成电路、多芯片组件 等微组装产品的性能指标与质量要求确定

3.1.1微组装主要生产工艺应包括芯片和基板贴装、互连、密封

1微组装工艺应按温度从高逐步到低进行操作，各工艺应按 共晶焊、再流焊（表面组装）、倒装焊、粘片、引线键合、密封的次序 降序排列。 2半导体器件的贴装，应采取防静电措施。 3微组装工艺应符合电子元器件常规组装顺序规定： 1）先粘片后引线键合； 2）先进行内引线键合后进行外引线键合； 3）完成器件装连后应进行产品电性能测试。 4共晶焊、再流焊、表面组装、芯片倒装焊后，当有助焊剂残 留时应进行清洗，芯片倒装焊后应进行下填充。 5每一种微组装工艺完成后，应完成相应的工序检验

3.2.1采用环氧贴装工艺应符合下列规定:

1贴装发热量不高、对湿气含量无严格要求的中小功率器 件、无引线倒装器件、片式元器件以及将基板贴装到封装外壳中 时，宜采用环氧贴装工艺； 2有欧姆接触要求的器件应采用掺银或金的导电环氧胶进

3无欧姆接触要求的器件宜采用绝缘环氧胶贴装； 4有散热要求的器件应采用导热环氧胶贴装。 3.2.2环氧贴装工艺的主要工序应符合下列规定： 1应按规定方法配制多组分浆料型环氧胶，环氧胶使用前应 充分搅拌均匀并静置或真空除泡；环氧胶在冷冻环境下贮存时，使 用前应在室温下放置，充分解冻； 2环氧贴装前待贴装件应保持洁净； 3可采用滴注点涂、丝网印刷、模板印刷等方法将环氧胶涂 布在基板上元器件待安装位置，手工或采用贴装设备将环氧膜片 排布在外壳底座上； 4将待安装的元器件准确放置在基板的环氧胶上，或将基板 或电路功能衬底压着在外壳底座上已排布好的环氧膜上，应按粘 接剂的使用要求完成粘接固化； 5宜采用加热、热压、紫外光照射等方法将粘接剂固化； 固化后应清除多余的环氧胶； 应用显微镜检查芯片、器件的外观和环氧贴装质量； 应对完成贴装后的元器件进行端头通断测试。 3.2.3 环氧贴装的工艺运行条件应符合下列规定： 1 贴装元器件工艺宜在等于或优于8级净化区中完成：； 2 固化过程应有排风系统； 3称量、混合、配胶、清洗工序应在通风柜内进行

3.3.1再流焊工艺宜适用于元器件在基板上的表面组装或将基 板焊接在外壳底座中。

3.3.2再流焊工艺的主要工序应符合下列规定：

应采用软合金焊料膏，使用前应充分搅拌均匀并静置排泡； 宜采用模板印刷、滴注点涂方法将适量的焊料膏涂布在基

3.4.1共晶焊工艺应适用于要求散热好的大功率电路芯片或基 片、要求接触电阻小的高频电路芯片，以及要求湿气含量非常低的 混合电路的贴装或封帽。

3.4.2共晶焊的主要工序应符合下列规定

1共晶焊前，应对基板和载体进行清洗并烘干； 2应选择共晶焊料和焊接母体表面粗糙度； 3应将裁剪好的合金预制焊片置于基板（外壳）底座上，将待 安装的各元器件（基板）准确放置在对应的焊片上，通过温度、时 间、气氛要求完成共晶； 4采用含金的合金焊料时，芯片背面应淀积金层；采用以锡 钢为主要成分的低共熔温度软合金焊料时，芯片背面应淀积镍、银 层或镍金层； 5当共晶焊料中含有助焊剂时，焊接后的器件应清洗去除焊 料、焊剂的残渣； 6焊接完成后，应无损检测芯片、基板外观和焊接的空洞率。

3.4.3共晶焊的工艺运行条件应符合下列规定： 1共晶焊工艺宜在等于或优于8级净化区中完成： 2共晶焊应在氮气或氮氢混合气体的保护气氛中进行； 3当共晶焊与环氧贴装用于同一电路时，应先完成操作温度 高的共晶焊再进行环氧贴装； 4手动共晶焊工艺可使用压缩空气； 5多个工序采用共晶焊工艺时，前道工序选用焊料的共晶温 度应高于后道工序

1引线键合工艺适用于将电路内部的芯片、基板、外壳引脚 上的金属化键合区一一对应互连形成电气连接； 2按所施加能量方式的不同，引线键合工艺可分为热压键 合、超声波键合、热压超声波键合； 3按引线键合形式的不同，引线键合工艺可分为球形键合和 楔形键合； 4按键合材料的不同，引线键合工艺可分为金丝键合、铝丝 键合、铝硅丝键合、铜丝键合。

筷形键合； 4按键合材料的不同，引线键合工艺可分为金丝键合、铝丝 键合、铝硅丝键合、铜丝键合。 3.5.2引线键合的主要工序应符合下列规定： 1引线键合前宜先校验引线键合规范，确认工艺参数的稳定 性，并检查基板材料可键合性； 2键合前应保证键合区域清洁； 3应根据装配图纸要求确定引线材料、型号和尺寸，引线安 置在键合工具的过程中应保证引线表面的清洁； 4应按装配图纸要求，并应按正确的位置与方向要求将待键 合的引线准确键合在相应的焊盘上； 5进行热超声金丝球形键合时，应调整好EFO打火强度及丝 尾端与打火杆的间隙大小，成球的直径宜为金丝直径的2倍～3倍：

6采用金丝进行铝键合区IC芯片的引线键合时，键合加热 温度不宜高于150℃； 7应控制超声功率、超声时间、键合压力和键合温度，并应确 保不损伤芯片、有较大的键合强度和好的焊点形态； 8应选择劈刀规格，楔形劈刀的刀尖宽度、针形劈刀（焊针） 的轴孔直径宜为引线直径的1.3倍～1.6倍； 9焊点应落在焊盘中心，牢固、无虚焊、无短路； 10引线键合后应在显微镜下目检引线和键合质量，并应进 行键合拉力测试。 3.5.3引线键合的工艺运行条件应符合下列规定： 1 引线键合工艺宜在等于或优于7级净化区中进行； 2手动引线键合工艺可使用压缩空气； 3选用铜线进行引线键合时，宜在氮气或氮氢混合气体的保 护气氩中进行

1引线键合工艺宜在等于或优于7级净化区中进行； 2手动引线键合工艺可使用压缩空气； 3选用铜线进行引线键合时，宜在氮气或氮氢混合气体的保 护气氛中进行

1原芯片电极焊区应制作金属过渡层，在金属过渡层上可制 作金凸点、钢凸点、镀金镍凸点、锡铅凸点和无铅凸点； 2金凸点、镀金焊盘的组合，可采用超声热压焊实现焊接

互连； 3双组分粘接剂使用前应按比例配制、搅拌均匀并静置排 气，单组分粘接剂宜贮存在一40℃的冷冻环境中，使用前应在室温 下充分解冻并搅拌均匀、静置或真空排气； 4由焊料构成的凸点，可在焊盘或凸点上涂敷助焊剂，然后 将待安装的芯片面朝下放置在基板上，按要求固化后通过“温度 时间”曲线进行焊料再流，完成芯片与基板的倒装焊接； 5采用下填充和固化工艺时，下填充操作时应倾斜基板，精 确控制填充胶量； 6倒装焊后应清洗除净焊接产生的污染，再烘干或晾干产品； 7芯片倒装及下填充完成后，应目检倒装焊质量，无损检测 芯片凸点电极与其基板焊区间的对准精度，并应测试所倒装芯片 的抗剪切强度。 3.6.3倒装焊的工艺运行条件应符合下列规定： 1倒装焊工艺宜在等于或优于7级净化区中进行；

倒装焊工艺宜在等于或优于7级净化区中进行； 2 倒装焊工艺中芯片的安装、互连应同时完成； 31 倒装焊应在氮气或氮氢混合气体的保护气氛中进行

.7.1采用钎焊工艺应符合下列

1电路内部湿气、氧气含量均较低，且有气密性要求的电连 接器与壳体组装时应采用钎焊工艺； 2有大面积接地要求的电路基板与载体或壳体的组装，以及 接插件与封装壳体不同组成部分之间的高精度拼装时应采用钎焊 工艺； 3在微电子产品的封装过程中，对金属或陶瓷腔体绝缘子、 接头或者盖板的焊接时应采用钎焊工艺； 4针焊工艺用于小腔体的金属及陶瓷封装的封盖时，芯片及 电路应耐高温；

5待针焊表面可针焊性宜采用厚膜、薄膜或镀覆技术进行金 属化； 6钎焊工艺可采用二元或多元共晶焊料合金焊膏的形式，也 可采用预制焊片的形式，盖板与壳体热膨胀系数应匹配。

3.7.2针焊的主要工序应符合下列规定：

1应根据工艺要求选择成分稳定、无氧化、表面平整的焊料， 根据焊接温度选用焊料及使用量： 2焊接前应通过真空烘焙，通氧气或湿氢的方法，去除待焊 件及焊料片表面的油污及氧化层； 3放置焊料应牢靠，并应使焊料的填缝路程最短，根据工艺 规定可涂敷阻焊剂或阻流剂，对钎焊缝外围涂层和透气孔周围微 电路线条实施阻焊； 4根据焊料种类与工艺要求选择保护气氛和温度曲线，前道 工艺焊料的熔化温度应高于后道工艺的操作温度，盖板结构设计 应合理，封盖焊接过程中应使焊料的流动减至最低限度； 5在二元或三元合金焊料熔融温度下进行针焊密封时，针焊 峰值温度应高于焊料合金液相温度20℃50℃； 6当组装过程包含多道钎焊工艺时，应采用温度梯度钎焊， 相邻两道针焊工艺焊料的液相温度相差宜大于30℃； 7有焊透率要求的电路基板的组装，需根据基板尺寸选择焊 膏进行钎焊，基板应包含透气孔； 8当组件包含多个部件一体化针焊时，宜采用工装夹具； 9钎焊完成后应清洗焊接件，去除焊渣及助焊剂； 10使用显微镜目检焊缝是否有裂纹、缝隙等缺陷，有缺陷应 重新补焊； 11针焊密封后应进行粗检漏和细检漏。

3.7.3钎焊的工艺运行条件应符合下列规定：

1对内部湿气、氧气含量要求比较低且有密封性要求的电 路，应采用平行缝焊工艺； 2待焊接材料为阻热高的材料，密封过程中采用局部加热 封装体的升温较低、对温度较敏感的电子元器件的封装时，应采用 平行缝焊工艺； 3对可伐合金、10号钢等电阻率较高、导热性能差的金属或 合金组件的气密电阻熔焊时，应采用平行缝焊工艺； 4对边缘为矩形、圆形等规则形状盖板的外壳进行焊接，宜 采用平行缝焊工艺。

1应检查被焊件是否满足焊接结构和尺寸要求，并应清洗被 焊件表面； 2应根据腔体与盖板的大小和厚度，散热情况的差异选择或 编辑适宜的平行缝焊封盖程序，合理选择电极移动的速率、电流脉 冲的强度和持续时间、脉冲之间的时间间隔、电极对盖板的压力 电极移动的距离等平行缝焊工艺参数，盖板焊接部位厚度宜为 0.1mm~0.15mm，新程序试封后宜进行检漏实验，合格后方进行 正式封装； 3平行缝焊材料体系的组成要求应根据材料的热膨胀系数 决定； 4组件内部水汽含量要求严格时，应将焊接件及对应的盖 板、夹具放人烘箱中，充人氮气并抽真空，真空度达到规定要求时 开始加热并应保温一段时间； 5应确认手套箱内水汽含量达标后，将烘烤后的产品移入 缝焊操作箱（手套箱）并关严箱门，宜在4h内完成密封，当产品

在操作箱内滞留12h以上未密封时，应重新烘烤后才能进行 密封； 6应将盖板按规定方位压置在外壳底座上且二者边缘精确 对准，再启动缝焊程序；应先进行分步封盖操作，确认程序无误后 方可进行自动封盖操作，平行缝焊机的运行速度不宜过快； 7盖板为矩形的外壳，宜先焊好长度方向上两条对边的平行 焊道，再使壳体转90°后焊好宽度方向上另两条对边的平行焊道， 两对焊道在起始点处应相互重叠形成闭合的密封焊道，矩形盖板 的长、宽尺寸应对应小于壳体（底座）长、宽0.05mm～0.1mm； 8盖板为圆形的外壳，应使两个通有连续大电流脉冲的同轴 缝焊电极压在盖板顶面的圆周边沿上，相对于壳体与盖板完成不 小于180°的圆弧运动后实现缝焊密封，圆形盖板直径应小于壳体 直径0.05mm~0.1mm； 9封装的最长尺寸不超过25mm时，宜选用厚度0.1mm~ 0.15mm的薄板形盖板；封装的最长尺寸大于25mm时，宜选用中心 区域厚度0.25mm~0.4mm、四周边缘区厚度0.1mm~0.15mm的 台阶形盖板； 10应将已熔焊密封的产品移入与缝焊操作箱相连的充有正 压氮气的密封箱中，关严操作箱侧门，再从密封箱移出； 11平行缝焊后用显微镜检查焊缝应连续平整，不应有裂纹 等缺陷； 12应进行粗检漏和细检漏，并应测试其漏率。 3.8.3平行缝焊的工艺运行条件应符合下列规定： 1平行缝焊工艺宜在等于或优于8级净化区中进行； 2平行缝焊应在湿气含量小于或等于40ppm的正压氮气或 正压氮氮混合气体环境的手套箱内完成； 3缝焊操作箱应在氮气或氮氮混合气体吹扫8h以上方能投 入缝焊操作，且日常应保持正压环境；

1平行缝焊工艺宜在等于或优于8级净化区中进行； 2平行缝焊应在湿气含量小于或等于40ppm的正压氮气可 正压氮氮混合气体环境的手套箱内完成； 3缝焊操作箱应在氮气或氮氮混合气体吹扫8h以上方能摄 入缝焊操作，且日常应保持正压环境； 4封盖时干燥箱内气体环境的压力不应高于常压，

3.9.1采用激光焊工艺应符合下列规定：

1对有密封要求的电路，且焊接面为钢、镍、锌、铝等材料时： 应采用激光焊工艺； 2内部气氛要求严格的金属或金属基复合材料组件的气密 封装时，应采用激光焊工艺； 3激光焊可分为脉冲激光焊和连续激光焊； 4待焊接材料为金、银时，不应采用激光焊接。 3.9.2激光焊的主要工序应符合下列规定： 1焊接前应对焊件及焊接材料表面做除锈、脱脂处理，并应 进行酸洗、有机溶剂清洗或物理方法打磨去除表面杂质； 2对焊件真空烘焙，应排除焊件内部的水汽； 3运行焊接程序前，应先用激光打点进行焊件定位，焊接过 程中焊件应夹紧，激光光斑应落在待焊件中间位置，光斑在垂直于 焊接运动方向对焊缝中心的偏离量应小于光斑直径； 4脉冲激光焊时，应设置脉冲能量、脉冲宽度、功率密度、离 焦量等工艺参数； 5连续激光焊时，应设置激光功率、焊接速度、光斑直径、离 焦量、保护气氛等工艺参数； 6有气密要求的电路，其壳体与盖板之间的配合应控制在 0.1mm内; 7可添加金属做辅助材料，焊接过程被焊金属部位应有充分 的熔深，焊接能量不宜过大； 8激光焊接后应清除飞溅物落在焊件上形成的瘤状物； 9 应在显微镜下观察焊缝，焊缝应光滑连续，无气孔、裂纹等 缺陷； 10激光焊接后应进行粗检漏和细检漏。

3激光焊工艺运行条件应符合

激光焊工艺宜在等于或优于8级净化区中进行； 激光焊应在氮气、氩气等气氛中进行。

5：10.1对有表面焊接性能安求及表面有非等电组分的到装材科 在使用前可采用涂覆工艺，使其表面形成可焊性的金属化涂覆层。 3.10.2涂覆的主要工序应符合下列规定： 1进行超声清洗处理电路板表面的助焊剂、离子污染，不应 损伤已经装配好的敏感元件： 2应对所要涂覆材料进行微蚀处理和活化处理； 3应对所要涂覆材料沉积适当的金属膜层； 4电路中不需要涂覆的地方，应使用压敏胶带等进行掩模保 护并烘干； 5应选择与电路浸润性良好，能够承受在涂覆工艺之后高温 存储、温度循环等后续的其他工艺所带来的高温条件的涂覆漆；按 照合理的比例配方涂覆漆与二甲苯，配好后充分搅拌并静置20min； 6应按涂覆漆厂家提供的焙烤参数设置烘箱的焙烤温度和 焙烤时间，使电路充分固化，涂层应均匀致密、无针孔、水汽透过率 低、对基板附着力良好且收缩或张应力较小； 7涂覆后应进行热处理去除应力； 8应根据焊接温度对涂覆层进行相应的温度考核。 3.10.3涂覆工艺运行条件应符合下列规定： 1 涂覆工艺宜在等于或优于8级净化区中进行； 2涂覆工作室应保持洁净干燥，温度应在20℃～25℃，相对 湿度应在40%~60%； 3涂覆宜采用涂覆机自动完成； 4 涂覆应布置在单独房间内； 5涂覆间应设置强制排风措施； 6涂覆间送回风系统应单独设置。

3.11.1采用真空烘焙工艺应符合下列规定：

1对分子污染高度敏感的器件焊接封装时，应采用真空烘焙 工艺； 2 在惰性气体中进行微波器件焊接封装时，应采用真空烘焙 工艺； 3在惰性气体中进行混合电路盒体焊接封装时，应采用真空 烘焙工艺； 4模块进行密封或者真空焊接前去除内部的水汽或其他吸 附性气体成分时.可采用直空烘焙工艺

3在情性气体中进行混合电路盒体焊接封装时，应采用真空 烘焙工艺； 4模块进行密封或者真空焊接前去除内部的水汽或其他吸 附性气体成分时，可采用真空烘焙工艺。 3.11.2真空烘焙主要工序应符合下列规定： 1真空焙烘系统在烘烤组件前应进行烘烤，确认系统正常； 2抽真空至100Pa，根据需要设定一定的除气温度和时间 开始加热除气，加热温度不应超过组件、器件的最高耐受温度，但 应高于组件工作温度10℃以上； 3系统回温，热沉温度应低于组件和烘烤温度； 4应根据组件内部水汽及氧气含量要求，设置时间、温度、烘 焙压力等工艺参数； 5根据组件封盖后内部保护气氛的要求，真空烘焙后应进行 相应保护气体的回充。

1真空烘焙工艺宜在等于或优于8级净化区中进行； 2 真空烘焙工艺的回充气体应为氮气或其他惰性气体

3.12.1采用清洗工艺应符合下列规定：

12.1 采用清洗工艺应符合下列规定： 1 微组装工艺宜采用气相清洗、超声清洗、等离子清洗方式； 2 对微组装中基板、金属腔体、组件、电路片上需要清除的颗

粒、油污、助焊剂、氧化物、多余物去除时，应采用清洗工艺； 3电路上、焊料上等残留氧化物、引线键合焊盘上氧化物、多 余的环氧粘接剂的清除宜采用等离子清洗； 4焊接后残余的助焊剂、毛发、油污、油脂等污染物的清除 在超声振动不影响待清洗件可靠性及使用性的情况下宜采用超声 清洗；否则宜采用溶剂清洗或气相清洗； 5含有晶体器件、陶瓷器件的组件的清洗，有裸芯片的、键合 金丝后的清洗不宜采用超声清洗； 6微组装清洗工艺的工作媒介宜为化学溶剂、等离子体气 体、紫外臭氧气氛、水。 3.12.2清洗主要工序应符合下列规定： 1清洗过程宜包括初洗、漂洗、烘干，按清洗介质不同可采用 水洗、半水洗和溶剂洗，清洗应在焊后及时进行； 2应根据助焊剂的成分选择清洗剂； 3清洗电路片时，应加热清洗或在异丙醇中超声清洗脱水， 然后烘干或用氮气吹干； 4金属腔体、盖板及绝缘子的清洗可采用超声气相清洗，在 加热的清洗剂中超声清洗，接着冷却漂洗，然后蒸汽清洗，最后氮 气吹干；表面污染严重或去除氧化物时，应加入抛光剂； 5等离子清洗工艺应根据应用范围合理选用等离子气体，设 置等离子清洗的气体的激发功率、清洗时间、真空度、温度； 6清洗完成后，应按要求晾干或烘干洗后元器件及在制品 并应在10倍~30倍放大的体视显微镜下且检产品质量

3.12.3清洗工艺运行条件应符合下列规定：

1 清洗工艺应在7级净化区中进行； 2 清洗工艺中的水洗宜配置纯水系统； 3 清洗工位应建立强制排风环境； 4清洗后的废液处理应符合现行国家标准《电子工程环境保 护设计规范》GB50814的有关规定

5进行清洗工艺时应严格遵守化学品、危险品的安全使用操 作规范。

1贴装工艺后的测试应包括显微镜检、万用表测试接地电 阻，是否短路、无损检查共晶界面的空洞以及芯片剪切强度测试； 2引线键合后的测试应包括显微镜检、破坏性以及非破坏性 引线键合强度的键合拉力测试： 3倒装焊后可进行高温和热循环实验，然后采用电测试、边界 扫描或功能测试的方法，检查芯片的短路和开路；或者采用自动光学 险测、自动无损检测、声学检测方法检测芯片焊接界面的微观特性： 4基板针钎焊后应采用无损方法进行空洞率测试； 5钎焊、平行缝焊、激光焊等工艺后应进行外观检查和腔体 气密性测试，有特殊要求的产品还应进行无损检查

阻，是否短路、无损检查共晶界面的空洞以及芯片剪切强度测试； 2引线键合后的测试应包括显微镜检、破坏性以及非破坏性 引线键合强度的键合拉力测试； 3倒装焊后可进行高温和热循环实验，然后采用电测试、边界 扫描或功能测试的方法，检查芯片的短路和开路；或者采用自动光学 检测、自动无损检测、声学检测方法检测芯片焊接界面的微观特性； 4基板针焊后应采用无损方法进行空洞率测试； 5钎焊、平行缝焊、激光焊等工艺后应进行外观检查和腔体 气密性测试，有特殊要求的产品还应进行无损检查。 3.13.2测试过程的主要工序应符合下列规定： 1测试前应按照图纸及技术要求对待测件进行状态检查，检 查测试设备状态，并应按技术要求对测试设备相关参数进行设置： 2应记录各项测试项目测试参数； 3测试之后应对所测参数进行核对； 4用显微镜进行外观检查时，一般电路可使用30倍～60倍 显微镜，芯片检查应根据特征尺寸采用高倍显微镜； 5芯片剪切强度测试、键合拉力测试、高温和热循环试验宜 采用抽样测试； 6引线表面、引线下面或引线周围有用于增加键合强度的任 可粘接剂、密封剂或其他材料时，应在使用这些材料以前进行试验； 7有气密性要求的产品中，腔体上焊接有绝缘子或接头的 应在绝缘子惧清洗后生进行检漏测试检验合格的产品方可进

3.13.2测试过程的主要工序应符合下列规定

1测试前应按照图纸及技术要求对待测件进行状态检查，检 查测试设备状态，并应按技术要求对测试设备相关参数进行设置； 2应记录各项测试项目测试参数； 3测试之后应对所测参数进行核对； 4用显微镜进行外观检查时，一般电路可使用30倍～60倍 显微镜，芯片检查应根据特征尺寸采用高倍显微镜； 5芯片剪切强度测试、键合拉力测试、高温和热循环试验宜 采用抽样测试； 6引线表面、引线下面或引线周围有用于增加键合强度的任 何粘接剂、密封剂或其他材料时，应在使用这些材料以前进行试验： 7有气密性要求的产品中，腔体上焊接有绝缘子或接头的 应在绝缘子钎焊清洗后先进行检漏测试，检验合格的产品方可进 行之后的组装操作。

4.1.1微组装生产线工艺设备应包括环氧贴装设备、共晶焊设 备、引线键合设备、密封设备、涂覆设备、清洗设备、测试设备。 4.1.2微组装生产线加工设备与检测仪器应根据生产线组线方 式、加工产品、生产规模、生产效率、运行管理与成本控制目标、节 能环保要求等因素配置。

4.1.1微组装生产线工艺设备应包括环氧贴装设备

4.1.3微组装设备选型应符合下列规定：

1应按照产品的结构型式、工艺途径、所用材料、加工流程、 加工精度确定工艺设备种类，根据生产线的产能和产量需求，均衡 配置各工艺的设备数量； 2需保证高产能、高生产效率时，应选用具有图形自动识别、 产品数据文件接收、编程控制、学后认知等能力的自动化设备； 3研制与小批量生产加工、依靠操作人员技能水平保障加工 质量时，可选用性能价格比高、投资较少的手动型微组装设备。

4.2.1环氧贴装工艺可选用点胶机、蘸胶机、丝网印刷机和粘片 机，少量的元器件粘接可采用手动点胶，批量生产可采用丝网印刷 或半自动和全自动粘片，

4.2.2环氧贴装工艺设备配置应行

1点胶机应配置承片台、显微镜、照明装置和滴针，压力控制 点胶的设备应配置压缩空气系统实现环氧树脂胶的滴注，通过调 节点胶压力、点胶时间、滴针口径、环氧粘度与触变性等参数，控制 所滴注的胶量；

2丝网印刷机应配置承片台、视觉系统、刮板、网版或模板， 通过改变网版目数、膜厚或模板厚度、刮板压力、速度和硬度、环氧 粘度与触变性等参数，控制所印涂的胶层厚度； 3粘片机应配置承片台、视觉与操作随动系统、显微镜、照明 装置和吸嘴，并应配置真空系统实现粘片； 4自动粘片机应具有通过程序控制实现图形自动识别、自动 滴注、自动吸片、自动对准、自动贴片的功能

4.4.1共晶焊工艺可选用共晶机、共晶炉，并宜符合下列规定：

4.4.1共晶焊工艺可选用共晶机、共晶炉，并宜符合下列规定： 1被贴装芯片的面积不大于2mm×2mm时，应选用手动或 自动共晶机进行逐一共晶焊，同一基板上同一温度下使用同种焊 料共晶焊的芯片不应超过3个； 2多芯片贴装或被贴装芯片的面积大于6mm×6mm时，应 选用真空共晶炉进行共晶焊，并应设计焊接工装； 3被贴装芯片的面积在2mm×2mm到6mm×6mm之间 时，应根据具体情况选择工艺设备；

4不使用焊料，直接将两种金属的界面加热到不小于它们 共熔温度进行共晶焊时，应选用具有摩擦功能的共晶机

4.4.2共晶焊工艺设备配置应符合下列规定：

4.5引线键合工艺设备

4.5.1引线键合工艺可选用手动、半自动或全自动丝焊机，并宜 符合下列规定： 1楔形键合可选用楔形键合机，球形键合可选用球形键 合机； 2铝丝键合可选用铝硅丝楔焊机和粗铝丝楔焊机，金丝键合 可选用金丝球焊机和金丝楔焊机

4.5.2引线键合工艺设备配置应符合下列规定

1金丝球焊机应配置承片台、操作随动系统、显微镜、照明装 置和针形劈刀，利用“热能十超声能”、使用针形劈刀和高纯微细金 丝实现第一、第二焊点分别为球形焊点、半月形楔形焊点的引线键 合，应能设置和渐进调节承片台温度、超声能量和施加时间、劈刀 压力、电子打火（EFO）强度等关键工艺参数； 2铝硅丝楔焊机和粗铝丝楔焊机应配置有承片台、操作随动 系统、显微镜、照明装置和楔形劈刀，利用超声能并辅助利用热能

使用楔形劈力和微细铝硅丝（粗铝丝）实现第一、第二焊点均为高 尔夫勺形形焊点的引线键合，也可实现微细金丝的楔形键合，应 设置和渐进调节超声能量和施加时间、承片台温度、劈刀压力、夹 丝夹力等关键工艺参数。

4.6.1焊料凸点倒装焊工艺可选用倒装贴片机和再流焊

f.6.1 焊科凹点倒装焊工 艺可选用倒装贴片机和再流焊炉 及下填充机，并宜符合下列规定 1超声热压倒装焊工艺可选用倒装焊机和下填充机； 2聚合物互连粘接倒装工艺可选用点胶机、倒装贴片机 装焊机和下填充机

2聚合物互连粘接倒装工艺 装焊机和下填充机。 4.6.2倒装焊工艺设备的配置应符合下列规定： 1倒装贴片机应配置承片台、倒装图形对准识别系统、操作 随动系统、照明装置和吸嘴，利用真空实现凸点芯片的倒装贴片， 可通过吸嘴吸片、通过倒装图形对准识别系统与操作随动系统对 准粘片，并可通过改变真空度、更换吸嘴规格等方法适应不同规格 凸点IC芯片的贴片； 2下填充机是一种用于下填充工艺的点胶机，可通过液态材 料在缝隙中的毛细流效应充填满倒装凸点芯片与基板间的空隙； 3倒装焊机应配置承片台、倒装图形对准识别系统、操作随 动系统、照明装置、吸嘴以及供应保护气氛的装置，应能设置和渐 进调节承片台温度、超声能量和施加时间、局部热风温度及加热时 间、焊接压力等关键工艺参数，利用“热能十超声能”实现凸点芯片 的倒装焊接，可通过吸嘴吸片、通过倒装图形对准识别系统与操作 随动系统对准并通过改变真空度、更换吸嘴规格等方法适应不同 规格凸点IC芯片的贴片。

4.6.2倒装焊工艺设备的配置应符合下列规定：

4.7.14 针焊工艺可选用热台、链式钎焊炉，并宜符合下列规定

1表面积小或要求不高的腔体可在热台上焊接，表面积大、 散热快或有特殊要求腔体可在烘箱或链式钎焊炉中进行； 2不需要使用助焊剂的焊料的针焊，可采用回流焊进行钎焊 密封； 3采用焊膏进行针焊时，应选用红外热风回流炉或气相焊 炉，带速或传递速度设置应使得组件不同部位受热均匀； 4采用预制焊片进行焊接时，应选用链式针焊炉，并应采用 惰性气氛或惰性加还原性气氛。

4.7.2链式钎焊炉通过产品在炉膛内随网带的运行，经历“加热

4.8平行缝焊工艺设备

4.8.1平行缝焊工艺主要应选择平行缝焊机。

温度、真空度及烘烤时间等关键工艺参数完成封装

4.9.1激光焊工艺主要应选择激光焊接机，激光点焊时应选

.9.1激光焊工艺主要应选择激光焊接机，激光点焊时应选用脉 中激光焊接机，激光缝焊时可选用脉冲激光焊接机或连续激光焊 接机，可根据组件封装的具体要求选用

.9.2激光焊工艺设备的配置应符合下列规定

1激光焊机应配置有激光焊机电源、承片台、定位夹具、激光 器及激光焊气氛供应与监测系统，并配备有相应的操作箱（手套箱） 和真空烘焙设备，真空焙烘设备应与激光焊接设备手套箱连接； 2连续激光焊所使用的焊接设备宜为二氧化碳（CO2）激 光器； 3脉冲激光焊所使用的焊接设备宜为钇铝石榴石晶体 (Nd:YAG)激光器; 4当对组件内部气氛有要求时，激光焊接设备应配备具有气 体净化和监测功能的焊接手套箱及组件中转箱

4.10.1 涂覆应采用涂覆机自动完成。 4.10.2 涂覆工艺设备的配置应符合下列规定： 1 前处理设备应包含超声清洗设备、带通风橱的化学处理 设备； 2 应根据所要涂覆材料的属性和膜层沉积的方式，选择相应 的设备，如化学镀设备、真空镀膜设备、电镀设备等； 3应具有涂覆膜层厚度的检测设备。

4.11真空烘焙工艺设备

4.11.1真空烘焙工艺可选用真空烘箱。

.1真空烘焙工艺可选用真空

1真空烘焙工艺可选用真空烘箱。 2 真空烘焙设备应配置抽排风装置和机械泵，设备应与组

4.11.2真空烘焙设备应配置抽排风装置和机械泵，设

件封装设备连接，真空烘焙温度和时间可进行实时监测，真空度应 低于10Pa。

4.12.1清洗工艺可选用超声波清洗设备、气相清洗设备、等离子 洗设备，并宜符合下列规定： 1清洗工艺宜采用溶剂法清洗； 2污染不严重而洁净度要求较高的，可采用间歇式气相 清洗； 3大批量表面贴装组件（SMA）清洗，可采用连续式气相清 洗工艺； 4污染较严重的表面贴装组件（SMA）清洗，可采用沸腾超 声清洗； 5大批量在线清洗系统且对环境要求较高时，可采用水基清 洗（皂化法或净水法）或半水基清洗； 6超声清洗设备不宜用于电子元器件的清洗。 4.12.2清洗设备组合与配置应根据产品需求选择

4.13.1测试设备的最大测试量程、测试精度等指标，应满足被测 件测试要求，可根据不同测试参数选择专用测试设备或通用测证 设备进行测试。

4.13.2密封性能测试设备配置应符合下列规定

4.13.3引线键合拉力测试设备的配置应符合下列

4.13.4共晶焊接和环氧贴装剪切力测试设备的配置应符合

±5%或剪切力达0.5N；

2应配置用来施加测试所需力的带有杠杆臂的圆形测力计 或线性运动加力仪。 4.13.5芯片和其他元件共晶焊接的空洞率测试可选用X射线 设备。 4.13.6完成贴装后元器件的端头通断测试可选用数字多用表 其配置应符合下列规定： 1应有蜂鸣档，当测试电阻小于0.5Q2时，应出现短路报警 鸣叫； 2 应有低、中、高阻电阻值挡，并应适于测试10m2～100M

设备。 4.13.6完成贴装后元器件的端头通断测试可选用数字多用表： 其配置应符合下列规定： 1应有蜂鸣档，当测试电阻小于0.5α时，应出现短路报警

4.13.6完成贴装后元器件的端头通断测试可选用数字多用

1应有蜂鸣档，当测试电阻小于0.52时，应出现短路报警 鸣叫； 2应有低、中、高阻电阻值挡，并应适于测试10m2～100MΩ 的阻值； 3宜配置四线测试功能及自检校准功能； 4宜配置表笔。 4.13.7制品、元件、构件等外观质量的放大检查可选用体视显微 镜，其配置应符合下列规定： 1放大倍数宜配置7倍～20倍、10倍～30倍、30倍～60 倍、60倍～100倍、100倍200倍等几种； 2应配置光强可调节的顶视照明系统； 3应具有双目镜孔距调节、焦距粗调与微调、单目焦距复调 等功能。

5.1.1微组装生产线规划应力求工艺流程合理，人流、物流通畅；

5.1.1微组装生产线规划应力求工艺流程合理，人流、物流通畅；并 应按工艺生产、动力辅助、仓储、办公与管理等功能区进行总平面布置， 5.1.2厂房洁净区位置应环境清洁，远离强振源，动力供应便捷 5.1.3微组装生产线厂房人流、物流出入口应分开设置。 5.1.4洁净区宜设置人员净化用室和物料净化设施 5.1.5微组装生产线布置在多层厂房内时，应设置垂直运输电梯

5.2.1微组装生产线工艺区划应按照生产工艺流程为主线展开 核心生产区应包括贴装区、芯片组装区、封装区、调试区、物料储有 区、检测区，生产支持区应包括更衣区、物料净化区、清洗区。微组 装生产线应采用图5.2.1所示工艺流程

人防标准规范范本图5.2.1微组装生产线工艺流程图

.2.2微组装生产线厂房工艺区划应包括下列内容： 1产品的工艺流程；

2广房建筑、结构形式； 3主要动力供给方向； 4 产品产量、生产线种类和设备选型数量； 5 清洗间、涂覆间等特别工作间的安排； 6 微组装生产线厂房设置参观走廊。 5.2.3 洁净区内人员净化用室、生活用室及吹淋室的设置，应符 合下列规定： 1人员净化用室应根据产品生产工艺要求和空气洁净度等 级设置； 2人员净化用室宜包括雨具存放、换鞋、存外衣、洗间、更 换洁净工作服、空气吹淋室等； 3 洁净工作服洗涤间、干燥间等用室，可根据需要设置。 5.2.4 人员净化用室和生活用室的区划，应符合下列规定： 1人员净化用室人口处，应设置净鞋设施； 2存外衣和更换洁净工作服的设施应分别设置； 3外衣存衣柜应按最大当班人数每人一柜设置； 4 盛洗间宜设置在洁净区外。 5.2.5洁净区内的设备和物料出入口应独立设置，并应根据设备 和物料的特征、性质、形状等设置净化用室及相应物料净化设施。 物料净化用室与洁净室之间应设置气闸室或传递窗。

1人员净化用室人口处，应设置净鞋设施； 27 存外衣和更换洁净工作服的设施应分别设置； 3 外衣存衣柜应按最大当班人数每人一柜设置； 4 盛洗间宜设置在洁净区外

和物料的特征、性质、形状等设置净化用室及相应物料净化设施。 物料净化用室与洁净室之间应设置气闸室或传递窗。

5.3.1设备布置应预留人流、物流通道和设备安装入口、设备更 新和检修场地垫圈标准，设备之间应有安全操作距离。 5.3.2易造成污染的物料应设置专用出人口。 5.3.3微组装生产线厂房内，靠近生产区宜设置与生产规模相适 应的原辅物料、半成品和成品、工装夹具存放设施。 5.3.4清洗、涂覆、焊接和返修工序应设置单独的排风系统