具有内理埋导体层、用于实现复杂互连电路的基板，

thick film

通过丝网印刷工艺将膜层淀积在基板上，并在最高温度约为 850℃下烧结后熔炼成最终形式的膜层

ceramic(LTCC)multilayersubs

将表面印有厚膜导体与电阻图形（包括由这些图形构成的互 连线、内理无源元件等）并制作了层间互连金属化通孔的多块未烧 结陶瓷柔性生瓷片依序层叠后蝶阀标准，通过加热同时加压而叠压成整体 结构，再在最高温度约为850℃的环境（烧结炉）中将其生瓷片及 厚膜电子浆料共同烧结所形成的刚性高密多层互连基板

2.0.5薄膜多层基板

thinfilmmultilayer substrate

采用真空蒸发、溅射、化学气相淀积等成膜工艺以及光刻、腐 浊等技术，在绝缘基板或硅片上制作交叠互连的多层薄膜导体及 层间绝缘膜后所得到的多层互连基板

通过流延工艺制成的质地均匀、表面光滑并具有一定强度的 条带状柔性薄片陶瓷材料。

是指对电子器件（微电路或组件）进行互连、保护和散热的微 电子工艺技术，主要有塑料封装、陶瓷封装和金属封装三种类型

rocessinspection

通过采用计量或测试工具、仪器或设备对产品的形状、尺寸、 位置及机械、物理、化学等特性进行计量、检测，并与其技术要求相 比对的过程，它是生产过程中对工序或产品完成状态与设计和工 艺文件规定的符合性进行评价的检测技术。

3.1.1微组装设备安装前，洁净厂房应符合下列规定：

3.1.1 微组装设备安装前，洁净厂房应符合下列规定： 应空态验收合格，净化空调系统应连续正常运行24h以上； 2 温度宜为20℃~26℃； 3 相对湿度宜为30%~70%； 4 地坪承载能力应满足设备承载要求； 5 净空高度应满足设备安装要求； 6 厂房入口的人身净化设施应已启用； 7 应具备设备搬入口； 消防设施应已通过专项验收，可以启用； 防静电工作区的防静电设施应已通过测试验收； 10 应有符合要求的电源、气源、水源和接地端子： 11 应设置员工安全疏散通道。 3.1.2 微组装设备安装应具备下列技术文件： 1 设备安装平面图； 2 设备装箱清单； 3 设备制造商提供的设备安装、运行、维护技术文件及安装 技术参数。 3.1.3进人净化厂房的施工人员应取得进入洁净区的通行证，特 殊工种应按有关规定持证上岗。

1. 微组装设备安装前，洁净厂房应符合下列规定： 1 应空态验收合格，净化空调系统应连续正常运行24h以上 2 温度宜为20℃~26℃； 3 相对湿度宜为30%～70%； Y 地坪承载能力应满足设备承载要求； 5 净空高度应满足设备安装要求； 6 厂房人口的人身净化设施应已启用； 7 应具备设备搬入口； 8 消防设施应已通过专项验收，可以启用； 防静电工作区的防静电设施应已通过测试验收； 10 应有符合要求的电源、气源、水源和接地端子： 11 应设置员工安全疏散通道。 1.2 微组装设备安装应具备下列技术文件： 1 设备安装平面图； 2 设备装箱清单； 3设备制造商提供的设备安装、运行、维护技术文件及安装 术参数。 1.3进人净化厂房的施工人员应取得进入洁净区的通行证，特 工种应按有关规定持证上岗。 1.4设备安装及配管配线工程材料应符合现行国家标准《电子

3.1.4设备安装及配管配线工程材料应符合现行国家标

3.2.1设备开箱应有设备供货单位、施工单位及建设单位的责

3.2.1设备开箱应有设备供货单位、施工单位及建设单位的责任 人员共同参加，法定商检的进口设备还应有海关商检代表参加。 3.2.2设备开箱前应检查包装箱有无损坏及损坏程度，防振动及 防倾斜标识应无异常。 一一一江T饰

3.2.1设备开相应有设备供货单1

3.2.3设备开箱应符合下列规定

1在对箱内设备及其附件不造成损伤的前提下，应使用有效 开箱器械并按合理程序进行： 2应在拨除顶盖铁钉或相关固定件后优先卸除包装箱的顶 盖； 3卸除包装箱顶盖及部分（或全部）侧盖后，应先取出箱内除 主机以外的小件、附件，再进行余下开箱工作

3.2.4设备开箱后应及时清除拆下的包装材料。

1设备铭牌所示型号规格应与设备清单或技术参数表相符； 2设备的外观和保护包装如有缺陷、损坏或锈蚀时，应及时 提出并做好记录，对于制造缺陷，应通知设备制造单位研究处理； 3应按装箱清单逐一清点零件、部件、工具、附件、附属材料 和其他技术文件是否齐全，并应作出记录； 4完成设备开箱及检查后，应将不需要安装或安装时不用的 零件、附件、附属材料、工.卡具和技术文件交由使用单位保管。 3.2.7设备开箱应填写开箱检查记录，内容及格式应符合本规范 表 A. 0. 1 的规定。

3.3.1采用起吊方式搬运设备时，应符合下列规定

1起吊使用的钢索应能承受10t以上的重量； 2吊车操作人员应持证上岗； 3吊索捆绑位置应避开仪表及结构脆弱部位，起吊时应注意 设备的重心，应防止设备倾倒坠落； 4设备起吊高度应以能拆除外包装底盘为宜； 5起吊时应控制提升和下降速度，不得产生冲击、碰撞现象， 3.3.2在厂房中搬运就位大型微组装生产线工艺设备时，应使用 叉车或搬运气垫等机械设施

3吊索捆绑位置应避开仪表及结构脆弱部位，起吊时应注意

3.3.3使用叉车时，两叉牙长度应超过1

1气垫应放在设备底部的承重横梁下，每台设备配置的气垫 不得少于4个； 2气垫充气后应平稳行进，设备底部距地面高度不应低于 2mm。 3.3.6厂房内搬运设备时，应采取保护地坪措施

3.4.1微组装设备的安装应符合下列规定： 1 设备定位时应预留电气箱全开空间和操作、维修空间： 2电源、气源、水源和接地端子一次配管配线应已到位； 3安装时应保护设备表面，密封面不应被损伤、划伤，设备的 安装应牢固、可靠，沉头螺钉安装后不应突出被连接件表面； 4设备有防微振控制或特别承重要求时，应采取对应的防微 振或提高承载能力的措施； 5应根据设备技术要求由专业人员完成设备的二次配管配 线。接入设备的真空管路宜采用SS316L不锈钢管道，纯水、压缩 空气等的配管与设备连接宜采用聚四氟乙烯、聚氨酯软管连接。

3.4.2在地坪上直接安装微组装设备应符合下列规定

1应先在地面放置基础垫片，并应确认基础垫片能均匀支撑 设备； 2操作时不得将手放置于基础垫片上方； 3若设备配置有地脚螺栓，则应使每一支地脚螺栓正确装入 其螺孔中，移动设备时应使用气垫搬运； 4应通过调节地脚螺栓的支撑长度或基础垫片的有效厚度 逐步调平设备，并应确保锁紧螺舟无间隙，且每一个地脚都落实在 地板的对应基础垫片上。 3.4.3在台面上直接安装微组装设备应符合下列规定： 1安装设备的工作台面应水平、平稳、牢固； 2台面上应铺有防静电材料，并与厂房防静电接地系统有效 连接。， 3.4.4设备的水平调整宜采用框式水平仪进行测量，精度要求高 的设备可使用两支架式水平仪。 3.4.5微组装设备的接地应有效可靠，接地引出端应与厂房接 地系统稳固连接，设备接地电阻不应大于42；接地系统应符合 现行国家标准《电气装置安装工程接地装置施工及验收规范》 GB50169的有关规定。 3.4.6设备就位后应由技术人员核查设备的动力配置。 3.4.7设备安装完毕后应填写安装T程记录，内容及格式应符合 本规范表A.0.2的规定。 3.5设备调试与试运行

1应先在地面放置基础垫片，并应确认基础垫片能均匀支撑 设备； 2操作时不得将手放置于基础垫片上方； 3若设备配置有地脚螺栓，则应使每一支地脚螺栓正确装入 其螺孔中，移动设备时应使用气垫搬运； 4应通过调节地脚螺栓的支撑长度或基础垫片的有效厚度 逐步调平设备，并应确保锁紧螺舟无间隙，且每一个地脚都落实在 地板的对应基础垫片上。

3.4.3在台面上直接安装微组装设备应符合下列规定： 1安装设备的工作台面应水平、平稳、牢固； 2台面上应铺有防静电材料，并与厂房防静电接地系统有效 连接。， 3.4.4设备的水平调整宜采用框式水平仪进行测量，精度要求高 的设备可使用两支架式水平仪。 3.4.5微组装设备的接地应有效可靠，接地引出端应与厂房接 地系统稳固连接，设备接地电阻不应大于42；接地系统应符合 现行国家标准《电气装置安装工程接地装置施工及验收规范》 GB50169的有关规定

1安装设备的工作台面应水平、平稳、牢固； 2台面上应铺有防静电材料，并与厂房防静电接地系统有效 连接。： 3.4.4设备的水平调整宜采用框式水平仪进行测量，精度要求高 的设备可使用两支架式水平仪

地系统稳固连接，设备接地电阻不应大于42；接地系统应符合 现行国家标准《电气装置安装工程接地装置施工及验收规范》 GB50169的有关规定

3.4.6设备就位后应由技术人员核查设备的动力配置。

3.5设备调试与试运行

3.5.1 微组装设备调试与试运行应符合下列规定： 1 设备应已安装就位； 2与设备接通的各种动力配管配线应保证连接密封牢固，各 种动力的各项参数应符合设备使用要求； 3压缩空气、工艺气体通入设备前应做清洁处理。 仙加 蓝声进达来

3.5.2微组装设备开机前应进行布线检查

3.5.3微组装设备运行前应进行安全性测试，并应满足设备使用 要求。

是否满足设备使用的要求

3.5.5设备在开机状态下，在人员操作位置的等效连续A声

3.5.6设备应连续无故障运行48h，连续运行前、后应进行设备

3.5.6设备应连续无故障运行48h，连续运行前、后应进行设备 主要性能指标测试，测试结果应符合设备技术指标的要求。

试与试运行应按本规范第4章～第7章的有关规定进行，记录的 内容及格式应符合本规范表A.0.3的规定。

4低温共烧陶瓷及厚膜基板制造工艺

4.1.1低温共烧陶瓷及厚膜设备主要应包括流延机、切片机、生 瓷打孔机、激光打孔机、微孔填充机、丝网印刷机、叠片机、等静压 层压机、热切机、低温共烧陶瓷烧结炉、厚膜烧结炉、激光调阻机 均可在地面上直接安装。 4.1.2低温共烧陶瓷基板制造工艺设备应满足联线要求，并应通 过低温共烧陶瓷标准测试版产品的生产和性能指标的测试来验证 低温共烧陶瓷关键工艺设备组线时的相关性能指标。 4.1.3低温共烧陶瓷及厚膜设备应安装在洁净度7级或优于7

4.2.1流延机的安装应符合下列规定

4.2.1流延机的安装应符合下列规定： 1 应通过调节地脚螺栓逐步调平流延载板； 2 流延干燥送风至抽排风的方向应与流延带传送方向相反 3电控柜应安装在距主机流延腔1m以外的位置，其金属柜 壳应密实； 4流延腔附近严禁有明火或其他可能产生电火花的危险源；

4.2.2流延机的调试及试运行应符合下列规定：

1应准备好已球磨混料并真空脱泡的待流延瓷浆； 2设备气体泄漏报警及安全保护装置应工作正常，流延腔仓 门应可靠锁扣：

3传送带速度与张力、流延腔各温区温度、送风排风速度及 流延刮刀高度等主要工艺参数应设置合理； 4载带应匀速传送、收卷自如，表面应平整无凸起； 5设备运行应平稳无晃动； 6向流延机盛料槽供瓷浆进行刮浆流延时，设备应逆向送排 风，流延腔室应密封良好，流延间内操作人员不应闻到从流延腔 烘干瓷浆逸出的溶剂异味； 7当瓷浆性能与质量合格、流延参数设置合理时，流延机末 端流出的生瓷带应干燥、平整，应用干分尺检测生瓷带在横向左 中、右三处的厚度，带厚均匀性充许偏差应为土5%

4.3.1切片机的安装应符合下列规定： 1对于能够兼容不同宽度尺寸的生瓷带切片的设备，应由专 业人员根据不同需求对设备零部件进行更换并预置； 2机械手的四个吸盘应调整在同一水平面上。 4.3.2 切片机的调试及试运行应符合下列规定： 1各运动轴初始化通过后，应将生瓷带卷安装在气胀轴上并 充气使其固定，牵引生瓷带应水平整齐地穿过刀头； 2送带过程中应正确调节传送辊子，避免出现跑偏现象； 3用多层薄的生瓷带叠合成厚1mm的带衬膜生瓷带时，切 片机应能准确、有效地完成切片加工； 4在保证切片质量合格、参数设置合理的前提下，在30倍放 大显微镜下检测生瓷片切口，应干净、整齐、陡直、无微裂纹，生瓷 片尺寸允许偏差应为±0.5mm

4.4.1生瓷打孔机的安装应符合下列规定：

4.1生瓷打孔机的安装应符合下列规定：

操作区无柜门设计的设备应配备并启用防护光幕：

2对于能够兼容不同长度和宽度尺寸的生瓷片打孔的设备， 应由专业人员根据不同需求对设备零部件进行更换并预置。

1应根据烘焙条件完成生瓷片的预处理； 2需要上框的生瓷片应先放置在多孔石上用负压空气吸附 平整，再用胶带将其粘在框架上，胶带应平整，框架应无翘曲； 3应设置冲头等待时间、XY机械手吸料后等待时间、打孔 速度等主要工艺参数； 4设备复位时XY机械手应平稳移动，冲孔组件上、下模应 冲孔自如； 5应使用专用调模工具调整上、下模位置，使二者同轴，更换 冲针后应重新校正冲针位置； 6设备运行应平稳无晃动； 7生瓷片托盘应保持水平，不得有翘曲等现象，真空吸盘吸 起生瓷片后，生瓷片应位于真空吸盘中心，生瓷片与真空吸盘四边 搭附长度应相等，且两者接触紧密不存在缝隙； 8在生瓷片性能与质量合格、打孔参数设置合适的前提下： 用自动光学检查仪检测加工完成的生瓷片通孔，孔形应完整且无 生瓷碎屑，用3D光学测量仪检测，通孔孔径允许偏差应为土5μm 当生瓷片的尺寸为长度×宽度不大于150mm×150mm时，通孔 应置充许偏差应为土10μm，当生瓷片的尺寸为长度×宽度大于 150mm×150mm时，通孔位置充许偏差应为土15μm。

4.5.1 激光打孔机的安装应符合下列规定： 1 设备应配备吸尘器； 2 安装蜂窝吸附台时，应在其四周贴上一圈纸胶带； 激光器应工作正常。 4.5.2 激光打孔机的调试及试运行应符合下列规定：

4.5.2激光打孔机的调试及试运行应符合下列规定：

1设备工作时安全门、罩必须处于关闭状态； 2完成生瓷片的预处理后，应将其逐片放置在蜂窝吸附台面 上进行打孔加工； 3设备复位时XY平台应平稳移动，振镜应行进白如； 4设备应平稳运行、无晃动； 5在打孔加工前应完成摄像头校正与振镜的校正，合格后才 能打孔； 6应正确选用激光打孔“子程序”，并应合理设置相关参数后 才能进行生瓷片的激光打孔加工； 7当生瓷片质量合格、打孔参数设置合理时，用白动光学检 查仪检测加工完成的生瓷片通孔，孔形应完整、无生瓷碎屑，用3D 光学测量仪检测，通孔孔径充许偏差应为土5m，当生瓷片的尺寸 为长度×宽度不大于150mm×150mm时，通孔位置充许偏差应 为土10m，生瓷片的尺寸为长度×宽度大于150mm×150mm时， 通孔位置允许偏差应为±15um。

4.6.1微孔填充机的安装应符合下列规定： 1应通过调节地脚螺栓逐步调平填孔机操作台面； 2微孔填充机安装后，填孔台应能在上片位与填孔位间自如 运行切换，上、下组件应能连续、均匀加压。 4.6.2 微孔填充机的调试及试运行应符合下列规定： 1应充分搅拌均匀填孔浆料并使之静置，待气泡排除后，应 依序按要求涂抹浆料、安装填孔模板； 2应根据生瓷层的规格，合理设置填充上、下组件压力、填充 时间； 3运行设备时.应能顺利完成生瓷片的填孔：

4.6.1微孔填充机的安装应符合下列规定： 应通过调节地脚螺栓逐步调平填孔机操作台面； 2微孔填充机安装后，填孔台应能在上片位与填孔位间自如 运行切换，上、下组件应能连续、均句加压

投影仪下检查，所填生瓷层的通孔应均匀饱满，无漏填、虚填现象， 生瓷片应无裂损，表面应无污染

4.7.1丝网印刷机的安装应符合下列规定:

1对于能够兼容不同尺寸规格生瓷片的丝网印刷机，应由专 业人员根据不同需求对吸片头、CCD摄像头、载片台等零部件进 行更换并设置； 2由机械手上片的丝网印刷机应确保吸片头的各个吸盘调 整在同一水平面上； 3设备安装后，应检测印刷工作台的平面度，确保达到要求 4.7.2丝网印刷机的调试及试运行应符合下列规定： 1设备自检通过后，应将网版装人网版槽内，按下锁紧装置 查看网版是否被锁紧； 2应加入浆料并完成印刷的主要工艺参数设置； 3应通过吸片头吸取生瓷片或人工放片到印刷工作台面上， 镊像头辅助完成生瓷片的对准后，应运行设备完成生瓷片上浆料 图形的印刷； 4在保证印刷工艺参数设置合理时，应用自动光学检测仪检 查印刷完成的生瓷片，网印质量、印刷图形应完整，边缘应齐整，应 无断线、缺口、锯齿，生瓷片应无污染； 5烘十后应测量网印线条膜厚及线宽，膜厚应能达到标准要 求，线宽允许偏差应为±15um。

4. 8. 1 叠片机的安装应符合下列规定:

4.8.1叠片机的安装应符合下≤

1托盘传送装置的安装应保证传送平稳顺畅： 2上料爪与下料爪应能稳定吸附起托架，并可顺利放人步进 尺的定位框或下料托盘中：

3步进尺应运动顺畅，搬运托架应能放人定位框中且与上下 料系统的位置合适； 4吸片传感器与下料传感器的位置及检测距离应可确保取 料吸盘顺利将生瓷片通过脱膜搬运到对位台或翻转板上，其间生 瓷片应不掉落、不褶皱、不破损、不移位； 5叠片定位孔宜在四个相机的视野中心部位，且应图像清 晰； 6生瓷片底部的聚酯支撑膜应能被脱膜胶辊顺利揭下并掉 入废料筐，且揭膜不应造成生瓷片破损、移位。

4.8.2叠片机的调试及试运行应符合下列规定：

1应将制作完定位孔的生瓷片按顺序、正反、方位等要求摆 放于托盘上； 2进入叠片机主操作界面，运行程序后叠片机应工作正常； 3应选取合适的叠片层次，并设定叠片定位标准层及叠片对 准精度； 4应合理设置烙焊温度、烙焊时间、托盘号、叠片层数、是否 脱膜及有关工艺参数，运行自动叠片程序； 5设备应平稳运行、无晃动，步进尺应按要求传送，各电机运 转应正常； 6移片电机应能顺利地将对好位的生瓷片搬运到叠片台上， 生瓷片应不掉落、不褶皱、不破损，且在移运过程中应保证精度不 变； 7生瓷片固位烙铁应上下运动顺畅，温度设置应合理，应使 生瓷片不破损，并应保证相邻两层之间能粘连牢靠； 8脱膜过程中运料纸卷应运行自如，生瓷应能被牢牢吸附在 台面上且保证揭膜后生瓷不变形，膜片分离后，生瓷片通孔内浆料 应基本保持完整； 9自动叠片后进行通孔切片，用3D光学测量仪测量生瓷片 的层间对准误差应在设定叠片对准精度范围内

4.9.1等静压层压机的安装应符合下列规定： 1 安装时，缸体和缸盖的运动应保持平行； 2 液压缸应配有卸压保护装置； 3 缸内纯水应过滤，并进行脱泡处理； 4 设备应配置真空包封机。 4.9.2 2等静压层压机的调试及试运行应符合下列规定： 1使用升降功能使缸盖及载料架上升、下降时，目测升降状 态，当载料架进入压力缸时，其圆周外壁不应碰击缸壁，且与压力 缸的圆周内壁各方间隙应相等； 2应检查、测量并调试加热、加压系统，使之工作正常； 3系统完成预热后，应将压力缸和储液箱中的水加热至设定 温度，测试压力缸中水的温度精度应满足要求； 4应使用真空包封机对经过叠片机叠片后的多层生瓷片进 行真空封装，并装载在层压机中与缸盖相连的载料架上； 5应设置保压时间、温度、压力等层压工作参数，运行设备使 载料架下降至压力缸中，执行一个加温、加压、恒温、恒压工艺周 期，观察设备运行状态，应无异常； 6生瓷坏层压为生瓷块后，应密实，不得因真空包封袋破损 而受潮，在显微镜下目检各层，应粘连紧密、不翘曲、无异样拱起， 且压后生瓷块的厚度与其且标厚度值间的允许偏差应为士5%

4.9.2等静压层压机的调试及试运行应符合下列规定

4.10.1热切机的安装应保证切力的力刃与工作台平行，并应能 限位于不切伤台面的位置。

1应准备好层压过的生瓷块，下面衬垫一层复印纸真空吸附 在工作台面上；

2应调节切片对位相机，待切生瓷块上的切片对准线应清晰屏显； 3应在手动模式下，调节相关运动部件，并设置切温、切深、 起点、步距、刀数等工艺参数； 4应开启加热，使切刀和工作台升至合适的热切温度后完成 切片； 5切片时台面温度均匀性应在土3℃内，切片后力片上升时 不能将生瓷块带离工作台，当生瓷块和切片工艺参数合理时，切出 的生瓷块切口应齐整、陡直，应无毛刺、无裂口、无分层现象，切割 后的单个生瓷块的尺寸允许偏差应为士25μm。

4..1低温共烧陶瓷结炉的安装应付合下列规定： 1应通过调节地脚螺栓逐步调平载片台； 2排气管道应垂直放置，并应使其口罩覆盖住烧结炉的两 个排气口，排气管道不得直接连接到烧结炉的排气口。 4.11.2低温共烧陶瓷烧结炉的调试及试运行应符合下列规定： 1空炉测试控温精度、温度均匀性时，应满足相关要求，设备 超温报警及自动切断加热功能应运行正常； 2设定炉温应在30min内从25℃升到300℃，在300℃应保 温2h，然后应在1h内降到25℃； 3运行烘炉程序时，载片台升降应平稳，各加热元件，温控仪 及供、排风应工作正常； 4应编制典型低温共烧陶瓷烧结温度曲线程序，应在操作界 面设置四路进气的预热温度、炉腔压力、气流量； 5应将准备好的低温共烧陶瓷生瓷块放置在载片台的烧结 载板上，启动运行程序烧结并观察曲线跟踪情况； 6烧结过程中应随时检查进气预热温度及炉腔气压、气流量 的控制、温度曲线跟踪等情况，应正常工作，异常时烧结炉应白动 启动报警保护功能：

7烧成的低温共烧陶瓷基板应无裂损、翘曲、分层、起泡、掉 皮等缺陷。

4.12.1厚膜烧结炉安装时，应保证传送带传送平稳、不偏位。

1通电后应设置传送带速度，应检测和调试传送带运行速 度，使之符合要求； 2设备运行时应平稳无晃动； 3炉体上的排风、加热及冷却系统工作应正常； 4应编制典型的厚膜烧结温度曲线，并将印有厚膜浆料图形 的陶瓷基板放置在炉膛入口处的传送带上实施烧结程序； 5烧结过程中，烧结炉应正常工作； 6应通过三条热电偶测量炉温，验证厚膜烧结炉控温精度及 炉体内传送带上左、中、右三点的温度均匀性，应满足设备要求

5薄膜基板制造工艺设备

5.1.1薄膜基板制造工艺设备主要应包括磁控溅射镀膜机、真空 蒸发镀膜机、化学气相淀积系统、旋涂及热板系统、曝光机、显影 台、反应离子刻蚀机、化学机械抛光机。 5.1.2薄膜基板制造工艺设备应满足工艺线联线要求，并可通过 薄膜标准测试版产品的生产和膜层性能指标的测试来验证薄膜关 键工艺设备组线时的相关性能指标。 5.1.3旋涂及热板系统、显影台、曝光机应置于相对湿度45%土 5%、温度22℃士2℃、洁净度6级或优于6级净化并用黄光照明 的环境中，其他薄膜基板制造工艺设备应安装在洁净度6级或优 于6级净化的洁净间中，温度宜为18℃～25℃，相对湿度宜为 40%~60%。

1循环冷却水路进、出口水管的绝缘管长度不应小于1m，射 频磁控溅射设备的冷却水路进、出口水管的绝缘管长度不应小于 5m； 2循环冷却水温度应在15℃～25℃，压力应满足设备使用 要求； 3设备接地电阻应小于42。 5.2.2磁控溅射镀膜机的调试及试运行应符合下列规定： 1 待溅射基板应清洗，并应在烘干后安装到机内的载片台上；

5.3.1真空蒸发镀膜机的安装应符合下列规定： 1设备的主泵为扩散泵时，应在泵的进气口一侧安装油蒸气 捕集井； 2在镀膜过程中发生射线的设备应加装防射线镜片； 3 真空室内的部件在安装前应进行清洁和干燥处理； 4应装好真空测量规管且与真空计连接好；

5.4化学气相淀积系统

4：1化字气相促积系统的安表应付合下列规定： 1应由专业人员正确接人工艺气体管路及真空管路.工艺气 体应根据不同的化学气相淀积技术进行选择； 2气体管道及管道部件应使用耐腐蚀不锈钢材料，在气路部 分、气源瓶柜、真空排气部分、机柜上方应设排风口，且排风管道的 内径不得小于50mm； 3对使用危险气体SiH、PH、SF。、CH、CF。的化学气相淀 积系统，安装时应同时安装危险气体泄漏报警装置： 4T.艺腔室内的部件及馈气管道在安装前应进行清洁和干 燥处理。 5机壳接地电阻不应大于42； 6循环冷却水温度应为18℃～26℃，压力应符合设备指标 要求。 5.4.2化学气相淀积系统的调试及试运行应符合下列规定： 1 应检查紧急按钮是否有效。 2启动真空泵时，运行状态应符合下列规定： 1）噪声、振动应无异常； 2）真空室真空度可在规定时间内降到规定值，本底真空的 压力值应控制在2×10Pa以下，极限真空的压力值可 达到8X10Pa; 3应延长真空泵的抽气时间。 3具备加热功能的设备应做空载烘烤处理 4根据设备要求应设置高纯氮气或氨气等保护气体流量，并 应向炉内通入保护气体进行吹扫。 5待淀积的样片应清洗，烘干后应装入在炉管内的载片舟 内，并应将载片舟调整到工作位置。 6设定淀积温度、淀积时间、淀积工艺气体比例和进气量、淀

积压力，应在抽气正常的情况下通入工艺气体。 7运行淀积程序进行淀积时，应定期检查工艺气体和保护气 体流量。 8淀积程序完成后取出已淀积样片，用光学膜厚测试仪测试 膜层的厚度均匀性，附着力、膜层组分和晶体结构应满足要求，膜 厚均匀性应符合设备指标要求

5.5.1旋涂及热板系统的安装应符合下列规定： 1 应调节四个地脚高度使匀胶承片台水平： 2应设置与工艺线排风管道口相连接的接口； 3高速旋盘上方应安装可靠的防护罩； 4工作台应设有减振装置； 5白动滴胶系统应由专业人员安装好，储胶罐的接口密闭情 况以及胶阀的气压应符合要求； 6断电保护装置应运行正常。 5.5.2旋涂及热板系统的调试及试运行应符合下列规定： 1应准备好光刻胶、基片等材料及必要的工具； 2待旋涂基片平整度应小于0.05mm； 3运行设备，设备自动开合旋涂盖功能、涂胶单元真空吸附 功能、旋转涂胶功能、顶针上下运动功能、加热部件真空吸附功能 应正常，涂胶台应润滑良好； 4应将吸管插入光刻胶瓶中，并将光刻胶放入设备白带化学 品柜内，并应设置好胶阀压力、滴胶时间、旋涂转速、旋涂时间和热 板温度； 5应分别设定烘烤温度为60℃、120℃和180℃，待温度稳定 后，应在加热器表面Φ200mm范围内选择中心点及外圆周上与X 轴、Y轴相交的四点等五处进行温度测量，然后计算平均值，所测 各点的温度值与平均值相比较时，允许偏差应为土1.5%；

6应分别用手动模式和自动模式进行旋涂操作，其他参数应 保持一致，每个基片旋涂结束后应放到热板台上烘烤； 7应用膜厚测量仪测量基片的上、下、左、右、中五个点的光 刻胶厚度，片内和片间厚度允许偏差应为土5%

.6.1曝光机的安装应符合下列翔

1设备搬运时应采用叉车结合气垫平稳移动，不得有振动； 2设备安装前应定制基座用来防振，安装时应通过反复调节 四个地脚螺栓高度使得曦光机承片台水平，并应用水平仪进行检 测确认； 3激光光路及曝光光源必须安装防护门、罩等保护装置； 4激光光源与主设备接连的管路应无弯曲； 5设备应装配二级过滤和二级调压气阀，安装压缩空气时应 先接人二级过滤阀，再接入二级调压阀，最后再接入设备。 5.6.2曝光机的调试及试运行应符合下列规定： 1应准备好光刻版、已均匀涂覆好光刻胶的待光刻基片及对 应显影液，掩模版应有双面薄膜保护，并应置于版盒中； 2曝光系统应具有光强调节装置，光源调节应灵活可靠，曝 光均匀性应随分辨率要求而定，不应大于2.5%； 3应将带有光刻掩模版的版盒放人曝光机上光刻版盒卡槽 位置，选择“读人光罩”模式，机械手可白动将光罩载入到光刻版平 台上； 4打开曝光机汞灯预热30min后，应用紫外线测量仪测量 承片台上、下、左、右、中五处的光刻强度，均匀性应优于土5%，并 应根据测量强度设置好光刻能量； 5准备丁作做好后应进行接触式或投影式光刻，光刻后应及 时显影； 6应观察显影清洗后基片上的光刻图形，整个基片图形应均

1设备搬运时应采用叉车结合气垫平稳移动，不得有振动； 2设备安装前应定制基座用来防振，安装时应通过反复调节 四个地脚螺栓高度使得曝光机承片台水平，并应用水平仪进行检 测确认； 3激光光路及曝光光源必须安装防护门、罩等保护装置； 4激光光源与主设备接连的管路应无弯曲； 5设备应装配二级过滤和二级调压气阀，安装压缩空气时应 先接入二级过滤阀，再接入二级调压阀，最后再接入设备。

5.6.2曝光机的调试及试运行应符合下列规定：

匀、无损伤、无连条，图形边缘应整齐、无锯齿和毛刺。

5.7.1显影台的安装应符合下列规定： 1搬运时应防撞防抖，不得直接拖动； 2应通过调节四个地脚高度，使得真空吸盘呈水平状态，并 应用水平仪进行测试和确认； 3显影/清洗腔的排风系统应与厂房内的排风系统相连接； 4应接人压缩空气、氮气及真空三种气路，冲洗用纯水压力 应为0.13MPa~0.35MPa； 5设备的排液管必须接入废液管道，废液管道必须通向废液 处理池； 6存储显影液和漂洗液的储液罐及白动喷溅系统安装好后 不应漏液； 7应核查设备的氮气欠压保护、真空保护、设备急停报警功 能是否正常，承片台吸附时的真空压力值应低于35kPa。 5.7.2显影台的调试及试运行应符合下列规定： 1 应先连接好显影液供应管道、去离子水管道； 2开机后设置好T艺液体的温度，液体温度应在10℃～ 30℃间可调，应调节好喷头喷溅压力，其调节范围应在0～14.7× 10°Pa间； 3应设定好真空吸盘旋转速度、显影时间、漂洗时间、冲洗时 间以及主轴转速，并应进入工艺设置选项设置好试运行下艺步骤； 4应将已曝光的基片放人片盒，然后将片盒放人片盒卡槽位 置； 5应选择要运行的程序并单击屏幕主运行界面上的“启动” 按钮，系统可按设定的参数和工艺步骤进行自动显影/清洗操作； 6进行显影、漂洗和烘干T序操作时基片均应有氮气保护， 工艺结束后应白动进行氮气吹干和高速甩干； ·24·

5.7.1显影台的安装应符合下列规定： 1搬运时应防撞防抖，不得直接拖动； 2应通过调节四个地脚高度，使得真空吸盘呈水平状态，并 应用水平仪进行测试和确认； 3显影/清洗腔的排风系统应与厂房内的排风系统相连接； 4应接人压缩空气、氮气及真空三种气路，冲洗用纯水压力 应为0.13MPa~0.35MPa； 5设备的排液管必须接入废液管道，废液管道必须通向废液 处理池； 6存储显影液和漂洗液的储液罐及白动喷溅系统安装好后 不应漏液； 7应核查设备的氮气欠压保护、真空保护、设备急停报警功 能是否正常，承片台吸附时的真空压力值应低于35kPa，

5.7.2显影台的调试及试运行应符合下列规定：

1应先连接好显影液供应管道、去离子水管道； 2开机后设置好T艺液体的温度，液体温度应在10℃～ 0℃间可调，应调节好喷头喷溅压力，其调节范围应在0～14.7× 1oPa间； 3应设定好真空吸盘旋转速度、显影时间、漂洗时间、冲洗时 间以及主轴转速，并应进入工艺设置选项设置好试运行T艺步骤； 4应将已曝光的基片放人片盒，然后将片盒放人片盒卡槽位 置； 5应选择要运行的程序并单击屏幕主运行界面上的“启动” 安钮，系统可按设定的参数和工艺步骤进行自动显影/清洗操作； 6进行显影、漂洗和烘干T序操作时基片均应有氮气保护， 工艺结束后应白动进行氮气吹干和高速甩王；

7机械手自动进行取片和收片时不得手动在片盒中取片或 放片； 8设备运行时应无振动和噪声； 9设备显影、漂洗后应进行烘干处理，温度控制范围宜在 60℃~180℃，控温精度应为±2℃； 10结束后应对基片进行目检，整个基片表面应冲洗干净并 且完全干燥，应无微粒、污点或瑕疵；显影合格的基片应均匀，线条 应整齐，应无残胶、无毛刺

5. 8 反应离子刻蚀机

5.8.1反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定： 1 应通过调节四个地脚高度来调平承片台； 2 应根据设备和环境要求，安装一般排风系统或酸碱排风系 统； 3设备总电源应配置专用空气开关，接地线应可靠； 4刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统，水压应为 0.2MPa～0.6MPa，水温应保持在16℃～28℃ 卫生标准，水阻不应小于 3MQ; 5应安装T艺用气CF：、SF6、C,F和O等气体管道，若厂房 没有配置固定的管道气体，可采用罐装气体接入； 6射频电源功率可分别设置为1000W和500W，并应具有 阻抗自动匹配功能； 7应根据气体性质安装气体泄漏报警装置。 5.8.2 反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定： 1应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片，且应已 有均匀的掩模窗口； 2应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位，水位过低时 可从水箱上方的注水口注入纯水，并应确保其水位在“MAX”和 “MIN"之间：

1 应通过调节四个地脚高度来调平抛光台； 2 抛光废液回收处理及处理后排放管道应与厂房的排污系 统连接。

1应准备好抛光液、长度×宽度为100mm×100mm的待抛 光专用测试样片，并将循环水及抛光液馈入系统，废液处理系统应 工作正常； 2应在抛光头及抛光台相应位置粘上反射薄膜，应用非接触 式转速表对准反射薄膜测试并调节抛光头及抛光台的转速； 3压力以0.005MPa为一档时，应依次将抛光头压力从 0.005MPa调到0.05MPa，应观测压力传感器测量值，测试结果应 满足设备技术要求； 4清洗待抛光基片，并应固定到抛光台上； 5应设置抛光压力、抛光转速、抛光液滴注流量，运行抛光程 序；

6应在磨抛后的样片磨抛面上取五个天小分别为0.3mm× 0.3mm的点域，应用原子力显微镜测出这五个局部点的粗糙度， 然后应计算平均值，所测各点的粗糙度与平均值相比较时，充许偏 差应为土3%； 7应以样片中心为厚度采样测试点并测量磨抛前、后的样片 享度，磨抛时应启动终点检测功能，并应将磨抛前、后的样片厚度 测量值进行比较，过抛光厚度应小于50nm

封装工艺设备安装、调试及

6.1.1组装封装工艺设备主要应包括芯片粘片机、芯片共晶焊 机、共晶炉、引线键合机、倒装焊机、等离子清洗机、选择性涂覆机、 平行缝焊机、储能焊机、激光焊机。 6.1.2共晶炉、倒装焊机、等离子清洗机、选择性涂覆机、平行缝 焊机、储能焊机、激光焊机可在地面直接放置，芯片粘片机、芯片共 晶焊机、引线键合机宜在台面放置。 6.1.3倒装焊机应安装在6级净化的洁净间中，芯片粘片机、芯 片共晶焊机和引线键合机应安装在7级净化的洁净间中，其他组

6.1.3倒装焊机应安装在6级净化的洁净间中，芯片粘

片共晶焊机和引线键合机应安装在7级净化的洁净间中，其他组 装封装工艺设备可安装在8级或优于8级净化的洁净间中，温度 宜为18℃~25℃，相对湿度宜为40%~60%

6.2.1芯片粘片机的安装应符合下列规定： 1设备放置到固定工位之前不得拆卸固定块： 2设备在拆卸固定块后，工作组件可顺畅地移动到工作范围 的任意位置而不会白行滑动到某个位置。 6.2.2芯片粘片机的调试及试运行应符合下列规定： 1 吸片、滴注工作模式的切换应确保转换灵活； 2应装配吸嘴、滴注针头； 3应调节气压及真空路灯标准，连接与吸嘴、滴注的浆料罐相连的气 路后试触发，检查气路应符合要求； 4应在浆料罐中加注粘片胶，并应与滴注针头连接后调节滴 注和吸片参数：