GB51037-2014 微组装生产线工艺设备安装工程施工及验收规范

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  • 具有内理埋导体层、用于实现复杂互连电路的基板,

    thick film

    通过丝网印刷工艺将膜层淀积在基板上,并在最高温度约为 850℃下烧结后熔炼成最终形式的膜层

    ceramic(LTCC)multilayersubs

    将表面印有厚膜导体与电阻图形(包括由这些图形构成的互 连线、内理无源元件等)并制作了层间互连金属化通孔的多块未烧 结陶瓷柔性生瓷片依序层叠后船舶标准,通过加热同时加压而叠压成整体 结构,再在最高温度约为850℃的环境(烧结炉)中将其生瓷片及 厚膜电子浆料共同烧结所形成的刚性高密多层互连基板

    2.0.5薄膜多层基板

    thinfilmmultilayer substrate

    采用真空蒸发、溅射、化学气相淀积等成膜工艺以及光刻、腐 浊等技术,在绝缘基板或硅片上制作交叠互连的多层薄膜导体及 层间绝缘膜后所得到的多层互连基板

    通过流延工艺制成的质地均匀、表面光滑并具有一定强度的 条带状柔性薄片陶瓷材料。

    是指对电子器件(微电路或组件)进行互连、保护和散热的微 电子工艺技术,主要有塑料封装、陶瓷封装和金属封装三种类型

    rocessinspection

    通过采用计量或测试工具、仪器或设备对产品的形状、尺寸、 位置及机械、物理、化学等特性进行计量、检测,并与其技术要求相 比对的过程,它是生产过程中对工序或产品完成状态与设计和工 艺文件规定的符合性进行评价的检测技术。

    3.1.1微组装设备安装前,洁净厂房应符合下列规定:

    3.1.1 微组装设备安装前,洁净厂房应符合下列规定: 应空态验收合格,净化空调系统应连续正常运行24h以上; 2 温度宜为20℃~26℃; 3 相对湿度宜为30%~70%; 4 地坪承载能力应满足设备承载要求; 5 净空高度应满足设备安装要求; 6 厂房入口的人身净化设施应已启用; 1 应具备设备搬入口; 消防设施应已通过专项验收,可以启用; 防静电工作区的防静电设施应已通过测试验收; 10 应有符合要求的电源、气源、水源和接地端子: 11 应设置员工安全疏散通道。 3.1.2 微组装设备安装应具备下列技术文件: 1 设备安装平面图; 2 设备装箱清单; 3 设备制造商提供的设备安装、运行、维护技术文件及安装 技术参数。 3.1.3进人净化厂房的施工人员应取得进入洁净区的通行证,特 殊工种应按有关规定持证上岗。

    1. 微组装设备安装前,洁净厂房应符合下列规定: 1 应空态验收合格,净化空调系统应连续正常运行24h以上 2 温度宜为20℃~26℃; 3 相对湿度宜为30%~70%; Y 地坪承载能力应满足设备承载要求; 5 净空高度应满足设备安装要求; 6 厂房人口的人身净化设施应已启用; 7 应具备设备搬入口; 8 消防设施应已通过专项验收,可以启用; 防静电工作区的防静电设施应已通过测试验收; 10 应有符合要求的电源、气源、水源和接地端子: 11 应设置员工安全疏散通道。 1.2 微组装设备安装应具备下列技术文件: 1 设备安装平面图; 2 设备装箱清单; 3设备制造商提供的设备安装、运行、维护技术文件及安装 术参数。 1.3进人净化厂房的施工人员应取得进入洁净区的通行证,特 工种应按有关规定持证上岗。 1.4设备安装及配管配线工程材料应符合现行国家标准《电子

    3.1.4设备安装及配管配线工程材料应符合现行国家标

    3.2.1设备开箱应有设备供货单位、施工单位及建设单位的责

    3.2.1设备开箱应有设备供货单位、施工单位及建设单位的责任 人员共同参加,法定商检的进口设备还应有海关商检代表参加。 3.2.2设备开箱前应检查包装箱有无损坏及损坏程度,防振动及 防倾斜标识应无异常。 一一一江T饰

    3.2.1设备开箱应有设备供货单1

    3.2.3设备开箱应符合下列规定

    1在对箱内设备及其附件不造成损伤的前提下,应使用有效 开箱器械并按合理程序进行: 2应在拨除顶盖铁钉或相关固定件后优先卸除包装箱的顶 盖; 3卸除包装箱顶盖及部分(或全部)侧盖后,应先取出箱内除 主机以外的小件、附件,再进行余下开箱工作

    3.2.4设备开箱后应及时清除拆下的包装材料。

    1设备铭牌所示型号规格应与设备清单或技术参数表相符; 2设备的外观和保护包装如有缺陷、损坏或锈蚀时,应及时 提出并做好记录,对于制造缺陷,应通知设备制造单位研究处理; 3应按装箱清单逐一清点零件、部件、工具、附件、附属材料 和其他技术文件是否齐全,并应作出记录; 4完成设备开箱及检查后,应将不需要安装或安装时不用的 零件、附件、附属材料、工.卡具和技术文件交由使用单位保管。 3.2.7设备开箱应填写开箱检查记录,内容及格式应符合本规范 表 A. 0. 1 的规定。

    3.3.1采用起吊方式搬运设备时,应符合下列规定

    1起吊使用的钢索应能承受10t以上的重量; 2吊车操作人员应持证上岗; 3吊索捆绑位置应避开仪表及结构脆弱部位,起吊时应注意 设备的重心,应防止设备倾倒坠落; 4设备起吊高度应以能拆除外包装底盘为宜; 5起吊时应控制提升和下降速度,不得产生冲击、碰撞现象, 3.3.2在厂房中搬运就位大型微组装生产线工艺设备时,应使用 叉车或搬运气垫等机械设施

    3吊索捆绑位置应避开仪表及结构脆弱部位,起吊时应注意

    3.3.3使用叉车时,两叉牙长度应超过1

    1气垫应放在设备底部的承重横梁下,每台设备配置的气垫 不得少于4个; 2气垫充气后应平稳行进,设备底部距地面高度不应低于 2mm。 3.3.6厂房内搬运设备时,应采取保护地坪措施。

    3.4.1微组装设备的安装应符合下列规定: 1 设备定位时应预留电气箱全开空间和操作、维修空间: 2电源、气源、水源和接地端子一次配管配线应已到位; 3安装时应保护设备表面,密封面不应被损伤、划伤,设备的 安装应牢固、可靠,沉头螺钉安装后不应突出被连接件表面; 4设备有防微振控制或特别承重要求时,应采取对应的防微 振或提高承载能力的措施; 5应根据设备技术要求由专业人员完成设备的二次配管配 线。接入设备的真空管路宜采用SS316L不锈钢管道,纯水、压缩 空气等的配管与设备连接宜采用聚四氟乙烯、聚氨酯软管连接。

    3.4.2在地坪上直接安装微组装设备应符合下列规定

    1应先在地面放置基础垫片,并应确认基础垫片能均匀支撑 设备; 2操作时不得将手放置于基础垫片上方; 3若设备配置有地脚螺栓,则应使每一支地脚螺栓正确装入 其螺孔中,移动设备时应使用气垫搬运; 4应通过调节地脚螺栓的支撑长度或基础垫片的有效厚度 逐步调平设备,并应确保锁紧螺舟无间隙,且每一个地脚都落实在 地板的对应基础垫片上。 3.4.3在台面上直接安装微组装设备应符合下列规定: 1安装设备的工作台面应水平、平稳、牢固; 2台面上应铺有防静电材料,并与厂房防静电接地系统有效 连接。, 3.4.4设备的水平调整宜采用框式水平仪进行测量,精度要求高 的设备可使用两支架式水平仪。 3.4.5微组装设备的接地应有效可靠,接地引出端应与厂房接 地系统稳固连接,设备接地电阻不应大于42;接地系统应符合 现行国家标准《电气装置安装工程接地装置施工及验收规范》 GB50169的有关规定。 3.4.6设备就位后应由技术人员核查设备的动力配置。 3.4.7设备安装完毕后应填写安装T程记录,内容及格式应符合 本规范表A.0.2的规定。 3.5设备调试与试运行

    1应先在地面放置基础垫片,并应确认基础垫片能均匀支撑 设备; 2操作时不得将手放置于基础垫片上方; 3若设备配置有地脚螺栓,则应使每一支地脚螺栓正确装入 其螺孔中,移动设备时应使用气垫搬运; 4应通过调节地脚螺栓的支撑长度或基础垫片的有效厚度 逐步调平设备,并应确保锁紧螺舟无间隙,且每一个地脚都落实在 地板的对应基础垫片上。

    3.4.3在台面上直接安装微组装设备应符合下列规定: 1安装设备的工作台面应水平、平稳、牢固; 2台面上应铺有防静电材料,并与厂房防静电接地系统有效 连接。, 3.4.4设备的水平调整宜采用框式水平仪进行测量,精度要求高 的设备可使用两支架式水平仪。 3.4.5微组装设备的接地应有效可靠,接地引出端应与厂房接 地系统稳固连接,设备接地电阻不应大于42;接地系统应符合 现行国家标准《电气装置安装工程接地装置施工及验收规范》 GB50169的有关规定

    1安装设备的工作台面应水平、平稳、牢固; 2台面上应铺有防静电材料,并与厂房防静电接地系统有效 连接。: 3.4.4设备的水平调整宜采用框式水平仪进行测量,精度要求高 的设备可使用两支架式水平仪

    地系统稳固连接,设备接地电阻不应大于42;接地系统应符合 现行国家标准《电气装置安装工程接地装置施工及验收规范 GB50169的有关规定

    3.4.6设备就位后应由技术人员核查设备的动力配置。

    3.5设备调试与试运行

    3.5.1 微组装设备调试与试运行应符合下列规定: 1 设备应已安装就位; 2与设备接通的各种动力配管配线应保证连接密封牢固,各 种动力的各项参数应符合设备使用要求; 3压缩空气、工艺气体通入设备前应做清洁处理。 仙加 蓝声进达来

    3.5.2微组装设备开机前应进行布线检查

    3.5.3微组装设备运行前应进行安全性测试,并应满足设备使用 要求。

    是否满足设备使用的要求

    3.5.5设备在开机状态下,在人员操作位置的等效连续A声

    3.5.6设备应连续无故障运行48h,连续运行前、后应进行设备

    3.5.6设备应连续无故障运行48h,连续运行前、后应进行设备 主要性能指标测试,测试结果应符合设备技术指标的要求。

    试与试运行应按本规范第4章~第7章的有关规定进行,记录的 内容及格式应符合本规范表A.0.3的规定。

    4低温共烧陶瓷及厚膜基板制造工艺

    4.1.1低温共烧陶瓷及厚膜设备主要应包括流延机、切片机、生 瓷打孔机、激光打孔机、微孔填充机、丝网印刷机、叠片机、等静压 层压机、热切机、低温共烧陶瓷烧结炉、厚膜烧结炉、激光调阻机 均可在地面上直接安装。 4.1.2低温共烧陶瓷基板制造工艺设备应满足联线要求,并应通 过低温共烧陶瓷标准测试版产品的生产和性能指标的测试来验证 低温共烧陶瓷关键工艺设备组线时的相关性能指标。 4.1.3低温共烧陶瓷及厚膜设备应安装在洁净度7级或优于7

    4.2.1流延机的安装应符合下列规定

    4.2.1流延机的安装应符合下列规定: 1 应通过调节地脚螺栓逐步调平流延载板; 2 流延干燥送风至抽排风的方向应与流延带传送方向相反 3电控柜应安装在距主机流延腔1m以外的位置,其金属柜 壳应密实; 4流延腔附近严禁有明火或其他可能产生电火花的危险源;

    4.2.2流延机的调试及试运行应符合下列规定:

    1应准备好已球磨混料并真空脱泡的待流延瓷浆; 2设备气体泄漏报警及安全保护装置应工作正常,流延腔仓 门应可靠锁扣:

    3传送带速度与张力、流延腔各温区温度、送风排风速度及 流延刮刀高度等主要工艺参数应设置合理; 4载带应匀速传送、收卷自如,表面应平整无凸起; 5设备运行应平稳无晃动; 6向流延机盛料槽供瓷浆进行刮浆流延时,设备应逆向送排 风,流延腔室应密封良好,流延间内操作人员不应闻到从流延腔 烘干瓷浆逸出的溶剂异味; 7当瓷浆性能与质量合格、流延参数设置合理时,流延机末 端流出的生瓷带应干燥、平整,应用干分尺检测生瓷带在横向左 中、右三处的厚度,带厚均匀性充许偏差应为土5%

    4.3.1切片机的安装应符合下列规定: 1对于能够兼容不同宽度尺寸的生瓷带切片的设备,应由专 业人员根据不同需求对设备零部件进行更换并预置; 2机械手的四个吸盘应调整在同一水平面上。 4.3.2 切片机的调试及试运行应符合下列规定: 1各运动轴初始化通过后,应将生瓷带卷安装在气胀轴上并 充气使其固定,牵引生瓷带应水平整齐地穿过刀头; 2送带过程中应正确调节传送辊子,避免出现跑偏现象; 3用多层薄的生瓷带叠合成厚1mm的带衬膜生瓷带时,切 片机应能准确、有效地完成切片加工; 4在保证切片质量合格、参数设置合理的前提下,在30倍放 大显微镜下检测生瓷片切口,应干净、整齐、陡直、无微裂纹,生瓷 片尺寸允许偏差应为±0.5mm

    4.4.1生瓷打孔机的安装应符合下列规定:

    4.1生瓷打孔机的安装应符合下列规定:

    操作区无柜门设计的设备应配备并启用防护光幕:

    2对于能够兼容不同长度和宽度尺寸的生瓷片打孔的设备, 应由专业人员根据不同需求对设备零部件进行更换并预置。

    1应根据烘焙条件完成生瓷片的预处理; 2需要上框的生瓷片应先放置在多孔石上用负压空气吸附 平整,再用胶带将其粘在框架上,胶带应平整,框架应无翘曲; 3应设置冲头等待时间、XY机械手吸料后等待时间、打孔 速度等主要工艺参数; 4设备复位时XY机械手应平稳移动,冲孔组件上、下模应 冲孔自如; 5应使用专用调模工具调整上、下模位置,使二者同轴,更换 冲针后应重新校正冲针位置; 6设备运行应平稳无晃动; 7生瓷片托盘应保持水平,不得有翘曲等现象,真空吸盘吸 起生瓷片后,生瓷片应位于真空吸盘中心,生瓷片与真空吸盘四边 搭附长度应相等,且两者接触紧密不存在缝隙; 8在生瓷片性能与质量合格、打孔参数设置合适的前提下: 用自动光学检查仪检测加工完成的生瓷片通孔,孔形应完整且无 生瓷碎屑,用3D光学测量仪检测,通孔孔径允许偏差应为土5μm 当生瓷片的尺寸为长度×宽度不大于150mm×150mm时,通孔 应置充许偏差应为土10μm,当生瓷片的尺寸为长度×宽度大于 150mm×150mm时,通孔位置充许偏差应为土15μm。

    4.5.1 激光打孔机的安装应符合下列规定: 1 设备应配备吸尘器; 2 安装蜂窝吸附台时,应在其四周贴上一圈纸胶带; 3 激光器应工作正常。 4.5.2 激光打孔机的调试及试运行应符合下列规定:

    4.5.2激光打孔机的调试及试运行应符合下列规定:

    1设备工作时安全门、罩必须处于关闭状态; 2完成生瓷片的预处理后,应将其逐片放置在蜂窝吸附台面 上进行打孔加工; 3设备复位时XY平台应平稳移动,振镜应行进白如; 4设备应平稳运行、无晃动; 5在打孔加工前应完成摄像头校正与振镜的校正,合格后才 能打孔; 6应正确选用激光打孔“子程序”,并应合理设置相关参数后 才能进行生瓷片的激光打孔加工; 7当生瓷片质量合格、打孔参数设置合理时,用白动光学检 查仪检测加工完成的生瓷片通孔,孔形应完整、无生瓷碎屑,用3D 光学测量仪检测,通孔孔径充许偏差应为土5m,当生瓷片的尺寸 为长度×宽度不大于150mm×150mm时,通孔位置充许偏差应 为土10m,生瓷片的尺寸为长度×宽度大于150mm×150mm时, 通孔位置允许偏差应为±15um。

    4.6.1微孔填充机的安装应符合下列规定: 1应通过调节地脚螺栓逐步调平填孔机操作台面; 2微孔填充机安装后,填孔台应能在上片位与填孔位间自如 运行切换,上、下组件应能连续、均匀加压。 4.6.2 微孔填充机的调试及试运行应符合下列规定: 1应充分搅拌均匀填孔浆料并使之静置,待气泡排除后,应 依序按要求涂抹浆料、安装填孔模板; 2应根据生瓷层的规格,合理设置填充上、下组件压力、填充 时间; 3运行设备时.应能顺利完成生瓷片的填孔:

    4.6.1微孔填充机的安装应符合下列规定: 应通过调节地脚螺栓逐步调平填孔机操作台面; 2微孔填充机安装后,填孔台应能在上片位与填孔位间自如 运行切换,上、下组件应能连续、均句加压

    投影仪下检查,所填生瓷层的通孔应均匀饱满,无漏填、虚填现象, 生瓷片应无裂损,表面应无污染

    4.7.1丝网印刷机的安装应符合下列规定:

    1对于能够兼容不同尺寸规格生瓷片的丝网印刷机,应由专 业人员根据不同需求对吸片头、CCD摄像头、载片台等零部件进 行更换并设置; 2由机械手上片的丝网印刷机应确保吸片头的各个吸盘调 整在同一水平面上; 3设备安装后,应检测印刷工作台的平面度,确保达到要求 4.7.2丝网印刷机的调试及试运行应符合下列规定: 1设备自检通过后,应将网版装人网版槽内,按下锁紧装置 查看网版是否被锁紧; 2应加入浆料并完成印刷的主要工艺参数设置; 3应通过吸片头吸取生瓷片或人工放片到印刷工作台面上, 镊像头辅助完成生瓷片的对准后,应运行设备完成生瓷片上浆料 图形的印刷; 4在保证印刷工艺参数设置合理时,应用自动光学检测仪检 查印刷完成的生瓷片,网印质量、印刷图形应完整,边缘应齐整,应 无断线、缺口、锯齿,生瓷片应无污染; 5烘十后应测量网印线条膜厚及线宽,膜厚应能达到标准要 求,线宽允许偏差应为±15um。

    4. 8. 1 叠片机的安装应符合下列规定:

    4.8.1叠片机的安装应符合下≤

    1托盘传送装置的安装应保证传送平稳顺畅: 2上料爪与下料爪应能稳定吸附起托架,并可顺利放人步进 尺的定位框或下料托盘中:

    3步进尺应运动顺畅,搬运托架应能放人定位框中且与上下 料系统的位置合适; 4吸片传感器与下料传感器的位置及检测距离应可确保取 料吸盘顺利将生瓷片通过脱膜搬运到对位台或翻转板上,其间生 瓷片应不掉落、不褶皱、不破损、不移位; 5叠片定位孔宜在四个相机的视野中心部位,且应图像清 晰; 6生瓷片底部的聚酯支撑膜应能被脱膜胶辊顺利揭下并掉 入废料筐,且揭膜不应造成生瓷片破损、移位。

    4.8.2叠片机的调试及试运行应符合下列规定:

    1应将制作完定位孔的生瓷片按顺序、正反、方位等要求摆 放于托盘上; 2进入叠片机主操作界面,运行程序后叠片机应工作正常; 3应选取合适的叠片层次,并设定叠片定位标准层及叠片对 准精度; 4应合理设置烙焊温度、烙焊时间、托盘号、叠片层数、是否 脱膜及有关工艺参数,运行自动叠片程序; 5设备应平稳运行、无晃动,步进尺应按要求传送,各电机运 转应正常; 6移片电机应能顺利地将对好位的生瓷片搬运到叠片台上, 生瓷片应不掉落、不褶皱、不破损,且在移运过程中应保证精度不 变; 7生瓷片固位烙铁应上下运动顺畅,温度设置应合理,应使 生瓷片不破损,并应保证相邻两层之间能粘连牢靠; 8脱膜过程中运料纸卷应运行自如,生瓷应能被牢牢吸附在 台面上且保证揭膜后生瓷不变形,膜片分离后,生瓷片通孔内浆料 应基本保持完整; 9自动叠片后进行通孔切片,用3D光学测量仪测量生瓷片 的层间对准误差应在设定叠片对准精度范围内

    4.9.1等静压层压机的安装应符合下列规定: 1 安装时,缸体和缸盖的运动应保持平行; 2 液压缸应配有卸压保护装置; 3 缸内纯水应过滤,并进行脱泡处理; 4 设备应配置真空包封机。 4.9.2 2等静压层压机的调试及试运行应符合下列规定: 1使用升降功能使缸盖及载料架上升、下降时,目测升降状 态,当载料架进入压力缸时,其圆周外壁不应碰击缸壁,且与压力 缸的圆周内壁各方间隙应相等; 2应检查、测量并调试加热、加压系统,使之工作正常; 3系统完成预热后,应将压力缸和储液箱中的水加热至设定 温度,测试压力缸中水的温度精度应满足要求; 4应使用真空包封机对经过叠片机叠片后的多层生瓷片进 行真空封装,并装载在层压机中与缸盖相连的载料架上; 5应设置保压时间、温度、压力等层压工作参数,运行设备使 载料架下降至压力缸中,执行一个加温、加压、恒温、恒压工艺周 期,观察设备运行状态,应无异常; 6生瓷坏层压为生瓷块后,应密实,不得因真空包封袋破损 而受潮,在显微镜下目检各层,应粘连紧密、不翘曲、无异样拱起, 且压后生瓷块的厚度与其且标厚度值间的允许偏差应为士5%

    4.9.2等静压层压机的调试及试运行应符合下列规定

    4.10.1热切机的安装应保证切力的力刃与工作台平行,并应能 限位于不切伤台面的位置。

    1应准备好层压过的生瓷块,下面衬垫一层复印纸真空吸附 在工作台面上;

    2应调节切片对位相机,待切生瓷块上的切片对准线应清晰屏显; 3应在手动模式下,调节相关运动部件,并设置切温、切深、 起点、步距、刀数等工艺参数; 4应开启加热,使切刀和工作台升至合适的热切温度后完成 切片; 5切片时台面温度均匀性应在土3℃内,切片后力片上升时 不能将生瓷块带离工作台,当生瓷块和切片工艺参数合理时,切出 的生瓷块切口应齐整、陡直,应无毛刺、无裂口、无分层现象,切割 后的单个生瓷块的尺寸允许偏差应为士25μm。

    4..1低温共烧陶瓷结炉的安装应付合下列规定: 1应通过调节地脚螺栓逐步调平载片台; 2排气管道应垂直放置,并应使其口罩覆盖住烧结炉的两 个排气口,排气管道不得直接连接到烧结炉的排气口。 4.11.2低温共烧陶瓷烧结炉的调试及试运行应符合下列规定: 1空炉测试控温精度、温度均匀性时,应满足相关要求,设备 超温报警及自动切断加热功能应运行正常; 2设定炉温应在30min内从25℃升到300℃,在300℃应保 温2h,然后应在1h内降到25℃; 3运行烘炉程序时,载片台升降应平稳,各加热元件,温控仪 及供、排风应工作正常; 4应编制典型低温共烧陶瓷烧结温度曲线程序,应在操作界 面设置四路进气的预热温度、炉腔压力、气流量; 5应将准备好的低温共烧陶瓷生瓷块放置在载片台的烧结 载板上,启动运行程序烧结并观察曲线跟踪情况; 6烧结过程中应随时检查进气预热温度及炉腔气压、气流量 的控制、温度曲线跟踪等情况,应正常工作,异常时烧结炉应白动 启动报警保护功能:

    7烧成的低温共烧陶瓷基板应无裂损、翘曲、分层、起泡、掉 皮等缺陷。

    4.12.1厚膜烧结炉安装时,应保证传送带传送平稳、不偏位。

    1通电后应设置传送带速度,应检测和调试传送带运行速 度,使之符合要求; 2设备运行时应平稳无晃动; 3炉体上的排风、加热及冷却系统工作应正常; 4应编制典型的厚膜烧结温度曲线,并将印有厚膜浆料图形 的陶瓷基板放置在炉膛入口处的传送带上实施烧结程序; 5烧结过程中,烧结炉应正常工作; 6应通过三条热电偶测量炉温,验证厚膜烧结炉控温精度及 炉体内传送带上左、中、右三点的温度均匀性,应满足设备要求

    5薄膜基板制造工艺设备

    5.1.1薄膜基板制造工艺设备主要应包括磁控溅射镀膜机、真空 蒸发镀膜机、化学气相淀积系统、旋涂及热板系统、曝光机、显影 台、反应离子刻蚀机、化学机械抛光机。 5.1.2薄膜基板制造工艺设备应满足工艺线联线要求,并可通过 薄膜标准测试版产品的生产和膜层性能指标的测试来验证薄膜关 键工艺设备组线时的相关性能指标。 5.1.3旋涂及热板系统、显影台、曝光机应置于相对湿度45%土 5%、温度22℃士2℃、洁净度6级或优于6级净化并用黄光照明 的环境中,其他薄膜基板制造工艺设备应安装在洁净度6级或优 于6级净化的洁净间中,温度宜为18℃~25℃,相对湿度宜为 40%~60%。

    1循环冷却水路进、出口水管的绝缘管长度不应小于1m,射 频磁控溅射设备的冷却水路进、出口水管的绝缘管长度不应小于 5m; 2循环冷却水温度应在15℃~25℃,压力应满足设备使用 要求; 3设备接地电阻应小于42。 5.2.2磁控溅射镀膜机的调试及试运行应符合下列规定: 1 待溅射基板应清洗,并应在烘干后安装到机内的载片台上;

    5.3.1真空蒸发镀膜机的安装应符合下列规定: 1设备的主泵为扩散泵时,应在泵的进气口一侧安装油蒸气 捕集井; 2在镀膜过程中发生射线的设备应加装防射线镜片; 3 真空室内的部件在安装前应进行清洁和干燥处理; 4应装好真空测量规管且与真空计连接好;

    5.4化学气相淀积系统

    4:1化字气相促积系统的安表应付合下列规定: 1应由专业人员正确接人工艺气体管路及真空管路.工艺气 体应根据不同的化学气相淀积技术进行选择; 2气体管道及管道部件应使用耐腐蚀不锈钢材料,在气路部 分、气源瓶柜、真空排气部分、机柜上方应设排风口,且排风管道的 内径不得小于50mm; 3对使用危险气体SiH、PH、SF。、CH、CF。的化学气相淀 积系统,安装时应同时安装危险气体泄漏报警装置: 4T.艺腔室内的部件及馈气管道在安装前应进行清洁和干 燥处理。 5机壳接地电阻不应大于42; 6循环冷却水温度应为18℃~26℃,压力应符合设备指标 要求。 5.4.2化学气相淀积系统的调试及试运行应符合下列规定: 1 应检查紧急按钮是否有效。 2启动真空泵时,运行状态应符合下列规定: 1)噪声、振动应无异常; 2)真空室真空度可在规定时间内降到规定值,本底真空的 压力值应控制在2×10Pa以下,极限真空的压力值可 达到8X10Pa; 3应延长真空泵的抽气时间。 3具备加热功能的设备应做空载烘烤处理 4根据设备要求应设置高纯氮气或氨气等保护气体流量,并 应向炉内通入保护气体进行吹扫。 5待淀积的样片应清洗,烘干后应装入在炉管内的载片舟 内,并应将载片舟调整到工作位置。 6设定淀积温度、淀积时间、淀积工艺气体比例和进气量、淀

    积压力,应在抽气正常的情况下通入工艺气体。 7运行淀积程序进行淀积时,应定期检查工艺气体和保护气 体流量。 8淀积程序完成后取出已淀积样片,用光学膜厚测试仪测试 膜层的厚度均匀性,附着力、膜层组分和晶体结构应满足要求,膜 厚均匀性应符合设备指标要求

    5.5.1旋涂及热板系统的安装应符合下列规定: 1 应调节四个地脚高度使匀胶承片台水平: 2应设置与工艺线排风管道口相连接的接口; 3高速旋盘上方应安装可靠的防护罩; 4工作台应设有减振装置; 5白动滴胶系统应由专业人员安装好,储胶罐的接口密闭情 况以及胶阀的气压应符合要求; 6断电保护装置应运行正常。 5.5.2旋涂及热板系统的调试及试运行应符合下列规定: 1应准备好光刻胶、基片等材料及必要的工具; 2待旋涂基片平整度应小于0.05mm; 3运行设备,设备自动开合旋涂盖功能、涂胶单元真空吸附 功能、旋转涂胶功能、顶针上下运动功能、加热部件真空吸附功能 应正常,涂胶台应润滑良好; 4应将吸管插入光刻胶瓶中,并将光刻胶放入设备白带化学 品柜内,并应设置好胶阀压力、滴胶时间、旋涂转速、旋涂时间和热 板温度; 5应分别设定烘烤温度为60℃、120℃和180℃,待温度稳定 后,应在加热器表面Φ200mm范围内选择中心点及外圆周上与X 轴、Y轴相交的四点等五处进行温度测量,然后计算平均值,所测 各点的温度值与平均值相比较时,允许偏差应为土1.5%;

    6应分别用手动模式和自动模式进行旋涂操作,其他参数应 保持一致,每个基片旋涂结束后应放到热板台上烘烤; 7应用膜厚测量仪测量基片的上、下、左、右、中五个点的光 刻胶厚度,片内和片间厚度允许偏差应为土5%

    .6.1曝光机的安装应符合下列翔

    1设备搬运时应采用叉车结合气垫平稳移动,不得有振动; 2设备安装前应定制基座用来防振,安装时应通过反复调节 四个地脚螺栓高度使得曦光机承片台水平,并应用水平仪进行检 测确认; 3激光光路及曝光光源必须安装防护门、罩等保护装置; 4激光光源与主设备接连的管路应无弯曲; 5设备应装配二级过滤和二级调压气阀,安装压缩空气时应 先接人二级过滤阀,再接入二级调压阀,最后再接入设备。 5.6.2曝光机的调试及试运行应符合下列规定: 1应准备好光刻版、已均匀涂覆好光刻胶的待光刻基片及对 应显影液,掩模版应有双面薄膜保护,并应置于版盒中; 2曝光系统应具有光强调节装置,光源调节应灵活可靠,曝 光均匀性应随分辨率要求而定,不应大于2.5%; 3应将带有光刻掩模版的版盒放人曝光机上光刻版盒卡槽 位置,选择“读人光罩”模式,机械手可白动将光罩载入到光刻版平 台上; 4打开曝光机汞灯预热30min后,应用紫外线测量仪测量 承片台上、下、左、右、中五处的光刻强度,均匀性应优于土5%,并 应根据测量强度设置好光刻能量; 5准备丁作做好后应进行接触式或投影式光刻,光刻后应及 时显影; 6应观察显影清洗后基片上的光刻图形,整个基片图形应均

    1设备搬运时应采用叉车结合气垫平稳移动,不得有振动; 2设备安装前应定制基座用来防振,安装时应通过反复调节 四个地脚螺栓高度使得曝光机承片台水平,并应用水平仪进行检 测确认; 3激光光路及曝光光源必须安装防护门、罩等保护装置; 4激光光源与主设备接连的管路应无弯曲; 5设备应装配二级过滤和二级调压气阀,安装压缩空气时应 先接入二级过滤阀,再接入二级调压阀,最后再接入设备。

    5.6.2曝光机的调试及试运行应符合下列规定:

    匀、无损伤、无连条,图形边缘应整齐、无锯齿和毛刺。

    5.7.1显影台的安装应符合下列规定: 1搬运时应防撞防抖,不得直接拖动; 2应通过调节四个地脚高度,使得真空吸盘呈水平状态,并 应用水平仪进行测试和确认; 3显影/清洗腔的排风系统应与厂房内的排风系统相连接; 4应接人压缩空气、氮气及真空三种气路,冲洗用纯水压力 应为0.13MPa~0.35MPa; 5设备的排液管必须接入废液管道,废液管道必须通向废液 处理池; 6存储显影液和漂洗液的储液罐及白动喷溅系统安装好后 不应漏液; 7应核查设备的氮气欠压保护、真空保护、设备急停报警功 能是否正常,承片台吸附时的真空压力值应低于35kPa。 5.7.2显影台的调试及试运行应符合下列规定: 1 应先连接好显影液供应管道、去离子水管道; 2开机后设置好T艺液体的温度,液体温度应在10℃~ 30℃间可调,应调节好喷头喷溅压力,其调节范围应在0~14.7× 10°Pa间; 3应设定好真空吸盘旋转速度、显影时间、漂洗时间、冲洗时 间以及主轴转速,并应进入工艺设置选项设置好试运行下艺步骤; 4应将已曝光的基片放人片盒,然后将片盒放人片盒卡槽位 置; 5应选择要运行的程序并单击屏幕主运行界面上的“启动” 按钮,系统可按设定的参数和工艺步骤进行自动显影/清洗操作; 6进行显影、漂洗和烘干T序操作时基片均应有氮气保护, 工艺结束后应白动进行氮气吹干和高速甩干; 24·

    5.7.1显影台的安装应符合下列规定: 1搬运时应防撞防抖,不得直接拖动; 2应通过调节四个地脚高度,使得真空吸盘呈水平状态,并 应用水平仪进行测试和确认; 3显影/清洗腔的排风系统应与厂房内的排风系统相连接; 4应接人压缩空气、氮气及真空三种气路,冲洗用纯水压力 应为0.13MPa~0.35MPa; 5设备的排液管必须接入废液管道,废液管道必须通向废液 处理池; 6存储显影液和漂洗液的储液罐及白动喷溅系统安装好后 不应漏液; 7应核查设备的氮气欠压保护、真空保护、设备急停报警功 能是否正常,承片台吸附时的真空压力值应低于35kPa,

    5.7.2显影台的调试及试运行应符合下列规定:

    1应先连接好显影液供应管道、去离子水管道; 2开机后设置好T艺液体的温度,液体温度应在10℃~ 0℃间可调,应调节好喷头喷溅压力,其调节范围应在0~14.7× 1oPa间; 3应设定好真空吸盘旋转速度、显影时间、漂洗时间、冲洗时 间以及主轴转速,并应进入工艺设置选项设置好试运行T艺步骤; 4应将已曝光的基片放人片盒,然后将片盒放人片盒卡槽位 置; 5应选择要运行的程序并单击屏幕主运行界面上的“启动” 安钮,系统可按设定的参数和工艺步骤进行自动显影/清洗操作; 6进行显影、漂洗和烘干T序操作时基片均应有氮气保护, 工艺结束后应白动进行氮气吹干和高速甩王;

    7机械手自动进行取片和收片时不得手动在片盒中取片或 放片; 8设备运行时应无振动和噪声; 9设备显影、漂洗后应进行烘干处理,温度控制范围宜在 60℃~180℃,控温精度应为±2℃; 10结束后应对基片进行目检,整个基片表面应冲洗干净并 且完全干燥,应无微粒、污点或瑕疵;显影合格的基片应均匀,线条 应整齐,应无残胶、无毛刺

    5. 8 反应离子刻蚀机

    5.8.1反应离子刻蚀机的安装应符合下列规定: 1 应通过调节四个地脚高度来调平承片台; 2 应根据设备和环境要求,安装一般排风系统或酸碱排风系 统; 3设备总电源应配置专用空气开关,接地线应可靠; 4刻蚀电极应独立安装循环冷却水系统玻璃标准规范范本,水压应为 0.2MPa~0.6MPa,水温应保持在16℃~28℃,水阻不应小于 3MQ; 5应安装T艺用气CF:、SF6、C,F和O等气体管道,若厂房 没有配置固定的管道气体,可采用罐装气体接入; 6射频电源功率可分别设置为1000W和500W,并应具有 阻抗自动匹配功能; 7应根据气体性质安装气体泄漏报警装置。 5.8.2 反应离子刻蚀机的调试及试运行应符合下列规定: 1应准备好已涂覆上相同厚度聚酰亚胺膜层的基片,且应已 有均匀的掩模窗口; 2应启动循环冷却水系统并检查循环水箱水位,水位过低时 可从水箱上方的注水口注入纯水,并应确保其水位在“MAX”和 “MIN"之间:

    1 应通过调节四个地脚高度来调平抛光台; 2 抛光废液回收处理及处理后排放管道应与厂房的排污系 统连接。

    1应准备好抛光液、长度×宽度为100mm×100mm的待抛 光专用测试样片,并将循环水及抛光液馈入系统,废液处理系统应 工作正常; 2应在抛光头及抛光台相应位置粘上反射薄膜,应用非接触 式转速表对准反射薄膜测试并调节抛光头及抛光台的转速; 3压力以0.005MPa为一档时,应依次将抛光头压力从 0.005MPa调到0.05MPa,应观测压力传感器测量值,测试结果应 满足设备技术要求; 4清洗待抛光基片,并应固定到抛光台上; 5应设置抛光压力、抛光转速、抛光液滴注流量,运行抛光程 序;

    6应在磨抛后的样片磨抛面上取五个天小分别为0.3mm× 0.3mm的点域,应用原子力显微镜测出这五个局部点的粗糙度, 然后应计算平均值,所测各点的粗糙度与平均值相比较时,充许偏 差应为土3%; 7应以样片中心为厚度采样测试点并测量磨抛前、后的样片 享度,磨抛时应启动终点检测功能,并应将磨抛前、后的样片厚度 测量值进行比较,过抛光厚度应小于50nm

    封装工艺设备安装、调试及

    6.1.1组装封装工艺设备主要应包括芯片粘片机、芯片共晶焊 机、共晶炉、引线键合机、倒装焊机、等离子清洗机、选择性涂覆机、 平行缝焊机、储能焊机、激光焊机。 6.1.2共晶炉、倒装焊机、等离子清洗机、选择性涂覆机、平行缝 焊机、储能焊机、激光焊机可在地面直接放置,芯片粘片机、芯片共 晶焊机、引线键合机宜在台面放置。 6.1.3倒装焊机应安装在6级净化的洁净间中,芯片粘片机、芯 片共晶焊机和引线键合机应安装在7级净化的洁净间中,其他组

    6.1.3倒装焊机应安装在6级净化的洁净间中,芯片粘

    片共晶焊机和引线键合机应安装在7级净化的洁净间中,其他组 装封装工艺设备可安装在8级或优于8级净化的洁净间中,温度 宜为18℃~25℃,相对湿度宜为40%~60%

    6.2.1芯片粘片机的安装应符合下列规定: 1设备放置到固定工位之前不得拆卸固定块: 2设备在拆卸固定块后,工作组件可顺畅地移动到工作范围 的任意位置而不会白行滑动到某个位置。 6.2.2芯片粘片机的调试及试运行应符合下列规定: 1 吸片、滴注工作模式的切换应确保转换灵活; 2应装配吸嘴、滴注针头; 3应调节气压及真空监理标准规范范本,连接与吸嘴、滴注的浆料罐相连的气 路后试触发,检查气路应符合要求; 4应在浆料罐中加注粘片胶,并应与滴注针头连接后调节滴 注和吸片参数:

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