GBT 39867-2021 正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体.pdf

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  • 表示必检项目,“"表示根据需要可选择检验的项目,“一”表

    项或一项以上不合格,则型式 验不合格。

    7.3.1检验项目分组

    出厂检验分A组和B组两组铁路图纸,详见表1

    出厂检验分A组和B组两组,详见表1

    A组检验项目一律全检,符合5.1的要求,不合格

    7.3.3.1抽检要求

    3组检验是在A组检验的基础上实施抽检或者根据客户的要求进

    在外观质量检验合格的晶体中,同一时段,采用同一原料来源、同一生产线、相同工艺连续生产的晶

    7.3.3.4合格判定

    检测样品的性能指标应符合表1的规定,若有一项指标不合格,则应进行加倍抽样;若仍有一项或 项以上指标未符合规定要求,则判定该批产品不合格

    3标识、包装、运输和储存

    在产品上应该有明确标识,合格的产品应有铭牌

    包装应采用不损伤产品的包装方式,表面应无破损,包装结构率固无变形;并有防震、防碎、防潮措 施。发货运输时,应有外包装箱。 有特殊包装要求的,应按使用方和供应方之间的协议规定

    包装应采用不损伤产品的包装方式,表面应无破损,包装结构率固无变形;并有防震、防碎、防潮措 施。发货运输时,应有外包装箱。 有特殊包装要求的应按使用方和供应方之间的协议规定

    产品在运输过程中应小心轻放,禁止挤压和碰撞。

    产品应储存在避光、常温、干燥的房间内

    光学透过率、光学透过率不均匀性的检测方法

    在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的光学透过率最大值; Tmin 在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的光学透过率最小值; Ta 在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的光学透过率算术平均值

    紫外分光光度计(200nm~1000nm)

    测试室应具有适当的避光条件,室内温度为25℃士

    按照B.1参比样品的相同规格加工检测样品

    按照B.1参比样品的相同规格加工检测样品

    A.4.2光学透过率不均匀性

    检测样品准备主要步骤如下: a)在外观质量检验合格的产品上,晶体的两端和中间截取大于40mm×40mmX30mm的晶 块,依次编号(例如:S,S2,Ss...S,),样品数量不少于3只; b)按B.1中参比样品的要求加工成检测样品,待测。

    主要步骤如下: a)接通电源,打开仪器开关,预热10min;

    主要步骤如下: a)接通电源,打开仪器开关,预热10min

    b)将测量模式设为测定光学透过率,且根据需要设定波长测量范围; 调整光路以确保光全部进入积分球内; d)自动调零后,在设定的波长范围内进行扫描: e)用分析纯乙醇和无纺布将加工好的样品表面擦拭干净: f)打开样品室,放人待测样品,以其40mm×40mm面垂直对准光路,关闭样品室后开始测量 g)读取测得的样品的光学透过率T; 更换下一个样品,重复A.5f)、g)中的方法,检测并记录所有样品480nm处的光学透过率T 记为T;

    b)将测量模式设为测定光学透过率,且根据需要设定波长测量范围; 调整光路以确保光全部进入积分球内; )自动调零后,在设定的波长范围内进行扫描; e)用分析纯乙醇和无纺布将加工好的样品表面擦拭干净: f)打开样品室,放人待测样品,以其40mm×40mm面垂直对准光路,关闭样品室后开始测量; g)读取测得的样品的光学透过率T; 1 更换下一个样品,重复A.5f)、g)中的方法,检测并记录所有样品480nm处的光学透过率T 记为T:

    计算过程如下: a)从T,,T2,T3...T,中找到最大值Tmx; b)从T,,T2,T...T,中找到最小值Tmin c) 按照式(A.2)计算T,的算术平均值Tave; d 将最大值Tmax、最小值Tma和算术平均值Taw带入到式(A.1)中,计算其光学透过率不均匀 性TNU

    式中: T:—第i个检测样品在480nm处的光学透过率; 一检测样品的数量

    式中: T:——第i个检测样品在480nm处的光学透过率 检测样品的数量

    从批量锗酸铋闪烁晶体中,挑选出外观质量合格的晶体,并按以下步骤制作加工参比样品: a 在外观质量检验合格的产品上截取大于40mmX40mmX30mm的晶块; b) 将晶块置于烘箱中退火(2h从室温升至200℃士5℃,保温4h后自然降至室温); C 取出后,将每只晶块的两个40mmX40mm的面抛光,其余面磨砂,抛光面的粗糙度Ra≤ 0.05μm,加工成40mm×40mm×30mm的样品,尺寸公差为±0.04mm; d 退火后的样品应避光加工和存放,避免紫外光和其他高能粒子的照射

    参比样品应满足表B.1中的性能指标。

    表B.1锗酸铋闪烁晶体参比样品的性能指标

    (规范性附录) 辐照损伤的检测方法

    晶体在长期接受大剂量射线(X或射线等)辐射后会产生辐照损伤,导致晶体的透过率和光输出 降低。本标准中,辐照损伤RD采用辐照前后光输出的下降程度来表征,表达式如式(C.1)所示:

    辐照前,检测样品的脉冲幅度,单位为道(channel); 辐照后,在相同的测量条件下,检测样品的脉冲幅度,单位道(channel)

    见GB/T13182—2007中6.1中的规定。

    室内温度为19℃±1℃,其他参照GB/T13181—2002中的4.1的要

    主要步骤如下: a)辐照前,按照GB/T13181一2002中第5章的规定检测样品的脉冲幅度P; b)将检测样品经500radCo射线源的剂量照射,辐照后避光保存12h以上; C)在相同的检测条件下.以相同的方法检测辐照后样品的脉冲幅度卫。

    光输出不均匀性是沿晶体的某个方向,不同位置处光输出的差异,用LNU来表示,表达式如式(D.1) 所示:

    Pmax 在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的脉冲幅度最大值,单位为 道(channel); Pmin 在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的脉冲幅度最小值,单位为 道(channel); 在相同测量条件下的同次测量中,同一晶体上所有取样位置处的脉冲幅度算术平均值,单 位为道(channel)。

    纸箱标准见GB/T13182—2007中6.1中的规定。

    度为19℃土1℃,其他参照GB/T13181一2002中白

    主要步骤如下: a)按照B.1中的规定加工检测样品; b)按照GB/T13182一2007中6.4.1中的规定进行检测; c)记录检测样品的脉冲幅度P; d)更换下一个样品.重复h)c)中的方法,检测并记录所有样品的脉冲幅度P.记为P

    主要步骤如下: a)按照B.1中的规定加工检测样品; b)按照GB/T13182—2007中6.4.1中的规定进行检测; 记录检测样品的脉冲幅度P; d)更换下一个样品,重复b、c)中的方法,检测并记录所有样品的脉冲幅度P.记为P,

    参数计算过程如下: a)从P,P2,P...P,中找到最大值Pmax; b)从P,,P2,Ps....P,中找到最小值Pmin; c)按照式(D.2)计算P,的算术平均值Pae; d)将最大值Pmax、最小值Pmin和算术平均值Pae带人到式(D.1)中,计算其光学输出不均匀

    参数计算过程如下: b)从P,,P.,P3..P,中找到最小值Pmin; c)按照式(D.2)计算P,的算术平均值Pawe; d)将最大值Pmax、最小值Pmin和算术平均值Pae带人到式(D.1)中,计算其光学输出不均

    式中: P;—第i个检测样品脉冲幅度航天标准,单位为道(channel); 检测样品的数量

    17GB/T12564—2008光电倍增管总规范

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