GB／T 4296-2022  变形镁合金显微组织检验方法

2.1使用脱脂棉蘸其中一种浸蚀剂轻轻擦拭试样，或将试样浸人浸蚀剂内轻轻摆动，然后用脱 无水乙醇迅速擦净，并进行干燥。 2.2为了提高偏光下观察组织的效果，需将试样放人薄膜浸蚀剂中进行浸蚀，当表面形成薄膜后 水乙醇冲洗干净，并进行干燥，不应擦拭

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7.1显微组织试样要求

经过制备、浸蚀的试样宜立即进行显微组织检验。试样表面应洁净干燥、无水痕，组织清晰、真实， 无氧化污染，无过蚀孔洞

变电站标准规范范本7.2光学显微组织检查

在光学显微组织检查中， 过烧和夹杂物等组织。制备及浸蚀符合 要求的典型产品显微组织见图 正常组织与过烧组织见图13～图14

LZ91Z铸锭铸态组织（4号浸蚀剂浸蚀 ×100

图2AZ80A铸锭铸态组织（5号浸蚀剂 ?

AZ80A铸锭铸态组织（5号浸蚀剂 ×100）

图3WE43C铸锭铸态组织（4号浸蚀剂

5ME20M冷板材纵向组织（1号浸蚀剂

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ME20M热轧板材横向组织（2号浸蚀剂×20

WE43C热轧板材纵向组织（2号浸蚀剂×200

Z41M热挤压型材纵向组织（1号浸蚀剂 X20

图9ZK61M模锻件纵向组织（1号浸蚀剂X200）

Z40M热挤压棒材纵向组织（2号浸蚀剂×200

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AZ41M棒材纵向偏振光组织（6号浸蚀剂×1

a）均匀化处理正常组织×200

0）均匀化处理过烧组织×200

）均匀化处理过烧组织×50

D）均匀化处理过烧组织×500

图13AZ80A合金铸锭显微组织与过烧显微组织（4号浸蚀剂）（续）

图13AZ80A合金铸锭显微组织与过烧显微组织（4号浸蚀剂）（续

a）均匀化处理正常组织×200

图14ZK60A合金铸锭显微组织与过烧显微组织（4号浸蚀剂）

图14ZK60A合金铸锭显微组织与过烧显微组织（4号浸蚀剂）

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d）均匀化处理过烧组织×500

图14ZK60A合金铸锭显微组织与过烧显微组织（4号浸蚀剂）（续）

图14ZK60A合金铸锭显微组织与过烧显微组织（4号浸蚀剂）（续）

7.3扫描电镜组织观察

在扫描电镜组织观察中，通常观察合金中相的形貌、相的分布情况、分析相或基体的化学成分 及浸蚀符合要求的典型产品扫描电镜组织见图15~图19

a）背散射电子相×200

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背散射电子相×100

图16ZK60A合金铸锭扫描电镜组织及相组成

图17WE43C合金板材纵向扫描电镜组织及相组成

图17WE43C合金板材纵向扫描电镜组织及相组成（续）

图18LZ91合金板材纵向扫描电镜组织及相组成

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8.1试样的选择、制备及测量的基本要求

图19AZ31B合金棒材纵向扫描电镜组织及相组成

8.1.1根据试验研究的目的选取试样。 8.1.2应按照第5章和第6章制备和浸蚀试样。抛光过程中应保证试样无发热或明显的冷作硬化。 8.1.3采用比较法（8.2)或平面晶粒计算法（8.3)或截距法（8.4)测定晶粒尺寸。在每个截面上应测定 三个或更多个有代表性面积内的晶粒数。（代表性是指试样上所有部位都对测定结果作出贡献，而不是 主观有意选定）

3.2.1比较法适用于等轴晶（或近似 晶利和造材科晶粒 8.2.2比较法是将在被检查试样上所观察到的晶粒图像与已知晶粒大小的标准图像比较，得到被检查 式样的晶粒尺寸（或通过简单计算）。 8.2.3图20～图27是镁合金晶粒尺寸标准评级图，放大100倍，每个图下的表内给出了放大倍数及相

应的晶粒级别指数（G）。当已知检测面积（A）上的晶粒数（N）、放大倍数为100时，可根据公式（1)计算 晶粒级别指数（G）

应的晶粒级别指数（G）。当已知检测面积（A）上的晶粒数（N）、放大倍数为100时，可根据公式（1）计算 晶粒级别指数（G）

式中： G一一晶粒级别指数； N一晶粒数; A———检测面积，单位为平方毫米（mm）。 计算结果按GB/T8170—2008中3.4.2的0.5单位修约

图20晶粒尺寸评级图Ⅱ

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图21晶粒尺寸评级图Ⅱ

图22晶粒尺寸评级图Ⅲ

图23晶粒尺寸评级图M

图24晶粒尺寸评级图V

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图25晶粒尺寸评级图MI

图26晶粒尺寸评级图V

标准图所给出的放大倍数中选择适当的倍数，观察被检试样的晶粒图像，与标准评级图相比， 粒标准图下的表内查出G值。在表4上查出与G值对应的每平方毫米的平均晶粒数（n），即 果。由此可根据公式（2)计算晶粒的平均面积（a），根据公式（3)计算晶粒的平均直径（d.）。

表4晶粒级别指数对照表

式中： a一一晶粒的平均面积，单位为平方毫米（mm）； 7A 每平方毫米的平均晶粒数。 计算结果按表4极限数位表示，按GB/T8170—2008的规定修约。 d=/a · (3) 式中： d，一晶粒的平均直径，单位为毫米（mm）； 一一晶粒的平均面积，单位为平方毫米（mm） 计算结果表示到小数点后2位，按GB/T8170一2008的规定修约 靠近的标准图的G值

.3，！仕亚微镜的毛坡璃或 g），使该圆内至少有50个晶粒 3.3.2查出圆内完整的晶粒数（n）及被圆周边切割的晶粒数（n2）。当圆周边切割的晶粒数（n2）为偶 数时，按照公式（4)计算圆内的晶粒总数（n。）；当圆周边切割的晶粒数（n2）为奇数时，按照公式（5)计算 圆内的晶粒总数（n），依据公式（6）计算每平方毫米的平均晶粒数（n）。

式中： n 圆内的晶粒总数； 11 圆内完整的晶粒数； 12 圆周边切割的晶粒数。 计算结果表示到个位，按GB/T8170一2008的规定修约。 nA=5 000/g2 ·（6 式中： nA 每平方毫米的平均晶粒数； 圆内的晶粒总数； 8 一一放大倍数。 计算结果表示到小数点后3位，按GB/T8170一2008的规定修约。 3.3.3非等轴晶，应在纵向、横向和高向三个互相垂直的平面内进行晶粒计算，这三个平面内的晶粒数 分别为n、n，和n，可根据公式（7)计算每立方毫米内的晶粒数（n）。

式中： 71g 圆内的晶粒总数； 711 圆内完整的晶粒数； 772 圆周边切割的晶粒数。 计算结果表示到个位.按GB/T8170一2008的规定修约

nA一一每平方毫米的平均晶粒数； n一圆内的晶粒总数； g一一放大倍数。 计算结果表示到小数点后3位，按GB/T8170一2008的规定修约。 3非等轴晶，应在纵向、横向和高向三个互相垂直的平面内进行晶粒计算，这三个平面内 为n、n，和n，可根据公式（7)计算每立方毫米内的晶粒数（n，）。

计算结果表示到小数点后3位，按GB/T8170一2008的规定修约 3非等轴晶，应在纵向、横向和高向三个互相垂直的平面内进行晶粒计算，这三个平面内的晶粒 刊为nn，和n,可根据公式(7)计算每立方毫米内的晶粒数（n.）

nv=0.8n.·ny·n 式中： 每立方毫米内的晶粒数； nr 每平方毫米内（纵向）的平均晶粒数； y 每平方毫米内（横向）的平均晶粒数； n 每平方毫米内(高向)的平均晶粒数。 20

计算结果表示到小数点后2位，按GB/T8170—2008的规定修约 8.3.4参考表5给出测量结果对应的晶粒级别指数(G)和相关数据

表5晶粒度计算关系表

基坑支护标准规范范本表5晶粒度计算关系表（续）

d=a/，d.和d:值为修约后的数值 n是根据球形的平均晶粒计算，n=0.566/13

3.4.1截距法推荐用于不均匀的等轴晶粒组织，对于各向异性组织，可分别测定三个主要方向上的晶 粒尺寸，在适当的情况下可较合理地测定平均晶粒尺寸。本方法可借助各种类型的试验仪器来完成测 量与计算。例如，定量显微镜和图像分析仪等。 3.4.2用截距法测量晶粒度，是在毛玻璃上或在试样的代表性视场内，通过计算被一根或数根直线（通 常称为检测线）相截的晶粒数，在直线的总长度上不应少于50个相截晶粒，用计算平均截距的方法测定 晶粒度。 8.4.3应对随机选定的、分离较远的3个～5个视场进行晶粒测量，以得出该试样合理的晶粒度平 均值。 8.4.4平均截距（1）按公式（8）计算

式中： L —平均截距，单位为微米（μm）；

式中： 平均截距，单位为微米（μm)；

L一 检测线的总长度，单位为微米（um）； N一检测线与晶界的交点总数； 一放大倍数。 计算结果表示到小数点后2位，按GB/T8170一2008的规定修约。 3.4.5平均截距（1)的长度，略低于晶粒的平均直径尺寸，在通常测量时，可以认为是晶粒的平均直径。 可参考表4给出的相关晶粒尺寸数据， 8.4.6对于非等轴晶，每立方毫米内的晶粒数按公式（9）计算。 ·（9） 式中： 每立方毫米内的晶粒数； n。一一在纵向上被直线交截的每一毫米上的平均晶粒数； 在横向上被直线交截的每一毫米上的平均晶粒数； 7 在高向上被直线交截的每一毫米上的平均晶粒数， 计算结果表示到小数点后2位，按GB/T8170一2008的规定修约。 8.4.7可参考表4评定计算结果对应的晶粒级别指数（G)和相关数据

试验、检测与鉴定试验报告应包括下列内容： a) 试验日期： b) 合金牌号或化学成分； c) 加工状态； d) 试样号； 组织说明； f) 放大倍数； g) 浸蚀剂； h）本文件编号