进行直流电测试和功能测试，确认器件是否满足相关文件要求，替换不满足要求的器件

在40倍光学显微镜下进行外部 或其他损伤。如果存在机械 合格品，则应在生产过程中采取纠正措 批中抽取新的样本。

5.3温度循环（可选）

进行5次一40℃（或者更低）～60℃（或者更高）的温度循环，以模拟运输条件。当相关文件有 本步骤为可选的水利施工组织设计 ，

最低（125士5）℃下烘焙器件至少24h，去除封装内部水汽，以达到真正的“干燥”。 注1：如果接受预处理的某一器件吸附数据表明，需要更多或更少的时间来获得“干燥”封装，则烘焙时间需适当 修正。 注2：如果预处理由半导体器件承制方实施，因为风险在供应商自身，步骤5.2.1、5.2.2、5.4可选做。如果预处理由 用户实施，步骤5.8可选做。

最低（125士5）℃下烘焙器件至少24h，去除封装内部水汽，以达到真正的“干燥”。 注1：如果接受预处理的某一器件吸附数据表明，需要更多或更少的时间来获得“干燥”封装，则烘焙时间需 修正。 注2：如果预处理由半导体器件承制方实施，因为风险在供应商自身，步骤5.2.1、5.2.2、5.4可选做。如果预处 用户实施，步骤5.8可选做。

5.5干燥包装SMDs浸渍条件

采用以下浸渍条件。浸溃应在烘焙后2h内开始。

试验按表1规定进行，依据GB/T4937.20—2018中5.3.3.2方法A。

试验按表1规定进行，依据GB/T4937.20一2018中5.3.3.2方法A。

内预处理流程（GB/T4937.20—2018中干燥包装）

注1：YGB/T4937.20—2018中规定的车间寿命条件时间， 注2：Z：GB/T4937.20—2018中规定的水汽浸溃时间。

试验按表3规定进行，依据GB/T4937.20—2018中5.3.2。

按表3规定进行，依据GB/T4937.20—2018中

表3GB/T4937.20一2018中非主爆包装器件条件A1和条件B1的预处理流程

器件从温度/湿度箱移出后15min到4h之间，采用GB/T4937.20一2018中合适的再流焊条 3次循环。所有温度均为本体温度。 在两次再流焊循环之间，允许将器件放置在室温环境下至少冷却5min

5.8模拟助焊剂使用（可选）

再流焊循环完成之后，允许器件在室温下至少冷却15min。在室温下，将器件主体大部分浸人到 助焊剂中至少10s，从而使活性水溶性助焊剂施加到器件引线上。当相关文件有规定时药品标准，助焊剂使用是 可选的。

.8.2使用助焊剂后清溢

使用多次搅动的去离子水冲洗器件。使用助焊剂后可立即清洗。进行下一步之前，器件应在室温 环境温度下干燥

进行直流电测试和功能测试，确认器件能否达到规范的常温数据表要求！

40倍的光学显微镜下进行外部目检，确保器件外

预处理造成的任何失效，表明该器件等级划分错误。应进行失效分析工程质量标准规范范本，如果可以，应对该器件重新 评估，确定正确的潮湿敏感等级。在进行5.10可靠性试验之前，应重新提交样品进行正确等级的预 处理。 注：由于风险是由供应商来承担，对半导体生产商，最终检查步骤是可选的，可以省略。

5.10应用可靠性试验

应在相关文件中规定以下细节： a) 使用的预处理条件(方法)类别 b) 如有要求，为验证运输能力，应规定温度循环条件和循环次数（见5.3）； 应规定再流焊循环次数，如不是3次（见5.7）； d) 如有要求，应规定助焊剂类型（见5.8）； 可靠性试验程序及试验条件（见5.10）； 电测试描述，包括测试温度（见5.9），