每只器件应不加偏置安装固定，并且其外引线或者全部短路，或者全部开路。MOS器件或含有 MOS元件的任何微电路，其全部外引线应短路。需采用合适的安装夹具，它能夹持样品和必须的剂量 计（至少一个活化箔和一只热释光剂量计）。安装夹具的结构取决于所采用的反应堆类型，并应与反应 堆有关工作人员一起讨论决定。试验器件的安装应使得全部样品上的中子注量总变化不超过20%。

试验器件和剂量计应接受规定的中子注量辐射。如果需要进行多次辐射，每次辐射后都应对器件 进行电参数测试（见3.5.1）。每次辐射都需要采用一套新的剂量计。由于中子辐照效应是累积的，所以 应确定每次附加的辐射量，以得到规定的总累积注量。所有辐射试验应在20℃士10℃温度下进行，并 如2.4.1所述推算出1MeV等效注量时的情况，

只有在试验场地对样品作清洁处理后，才能把它们取走。在辐射至电参数测试期间，样品器件的温 度应保持在20℃士10℃。规定的电测试应在辐射后24h内完成。如果残余的放射性物质（放射水平 应符合国家有关标准)高于安全操作的规定，在试验后进行电测试的经历时间可延长到一周，或采取措 施进行远距离测试。应记录每只器件每次辐射后的全部要求的数据。

器件具有事先确定的异常现象（如1/β的非线性退化）应进行失效分机

民政标准期代码和承制方给出的其他识务 数据表都应包括辐射试验日期、电测试条件、辐照水平、环境条件和测试数据。当不采用规定

应在试验要求或相关文件中规定以下内容： a）器件型号（见3.6）； b）器件数量，如不按3.2中规定； 辐射前后需要测量的电参数（见3.3.1和3.5.1）； d）合格或失效的判据，对被试器件的记录要求（见3.3.1，3.5.1和3.6)； e）有关异常特性的判据（见3.5.2)； f)）辐照水平（见3.4)； g）试验设备要求（见第2章）； h）辐射剂量计，如不按2.3中规定； 1) 环境温度，如不按本部分中规定（见3.4和3.5.1)； 对数据报告和提交的要求（见3.6）（适用时）