半导体器件机械和气候试验方法 第13部分：盐雾

半导体器件机械和气候试验

盐雾试验所用设备应包括：

接4.1的要求预处理之后，试验样品应按如下方式放置在试验箱里，使它们彼此不接触，彼此不遭 挡，能自由地接受盐雾作用，腐蚀生成物和凝聚物不会从一个样品滴落在另一个样品上。试验箱中喷雾 的保持时间应按4.2试验条件的要求执行。试验期间，试验箱内的温度应保持在（35士2）℃，盐雾的浓 度和喷出速度应调节到使试验区域内盐沉降率为（30士10)g/（m·d）。在不低于35℃测量时，盐溶液 的pH值应在6.0～7.5之间[只能用化学纯（CP级）的盐酸或氢氢化钠（稀溶液）来调整pH值1。

的要求，承受弯曲应力的预处理。如果进行盐雾试验的样品已经作为其他试验的一部分进行过所要求 的预处理，其引线无需重新弯曲。

1中选取盐雾试验的时间。除另有规定外，应采

除另有规定外，试验结束后，样品表面的沉淀物应按如下方式进行处理。 可用清水轻轻冲洗去掉试验样品表面沉淀的盐；也可以将样品浸泡在水里，用软毛刷或软塑料刷轻 轻地刷洗。水温不应超过40℃。

edi标准器件出现以下情况判为失效

在室内正常照明下，放大1倍～3倍检查，标识模糊。 腐蚀缺陷面积超过任何封装零件（例如盖板、引线或外壳）镀涂或底金属面积的5%；引线缺 损、断裂；放大10倍～20倍检查，完全贯穿零件的腐蚀。在此试验方法中，腐蚀定义为对材料 或涂层结构的实际损坏。褪色或变色，包括与点腐蚀有关的褪色或变色，不应认为是受损区域 的一部分。引线末端的腐蚀（和由此产生的腐蚀生成物）应忽略。 注：涂层需覆盖封装和从引线根部到尖端的整个暴露的引线区域（不包括特定的弯折区域)和所有其他暴露 的金属表面。

相关文件应规定以下内容： a）预处理，适用时（见4.1)； b）试验条件，如果和试验条件A不同（见4.2)； c）清洗程序，如果和4.3的规定不同； d）失效判据，如果和4.4的规定不同； e）样本大小和可接收的数量。

相关文件应规定以下内容： a）预处理，适用时（见4.1)； b）试验条件，如果和试验条件A不同（见4.2)； c）清洗程序，如果和4.3的规定不同； d）失效判据，如果和4.4的规定不同； e）样本大小和可接收的数量。