3.4.1外延片的牌号表示为

GB/T14844—2018

其中： 1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。 3.4.2牌号的第一项用分子式表示外延片的名称，如硅外延片Si、砷化镓外延片GaAs、碳化硅外延片 SiC、锗外延片Ge、锑化钢外延片InSb、磷化外延片GaP和磷化钢外延片InP等。 3.43一牌号第二项表示外延片的生产方法用苗立第一个字母组合的大写形式表示，其中

d）MOCVD表示金属有机化合物化学气相沉积。 4牌号的第三项表示外延片的结构，括号内用元素符号表示衬底掺杂剂，如掺磷P、掺锑Sb、掺碑 掺硼B等。其中： a）n/n+表示在n+型衬底上生长N型外延层； b）p/p+表示在p+型衬底上生长P型外延层； c）n/p(或p/n)表示在P型（或N型）衬底上生长导电类型相反的外延层； d）n/I或p/I)表示在绝缘衬底上生产N型（或P型)外延层； e）n/p/n表示在N型衬底上先生长P型外延层，再生长N型外延层，其他多层外延片结构的表 示方法以此类推； n/SI表示在半绝缘衬底上生产N型外延层。 5一随品的管m项用您谢华新主元息向如息向/111一/100和/110等

.6外延片的牌号表示见示例1～示例2

附录A （资料性附录） 半导体材料牌号中字母表示方法 半导体材料牌号中字母表示方法见表A.1。

学士标准规范范本GB/T148442018

附录A （资料性附录） 半导体材料牌号中字母表示方法

表A.1半导体材料牌号中字母表示方法

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